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國巨推出全尺寸電流感測電阻PT系列
國巨公司日前推出PT 系列電流感測電阻,具備領(lǐng)先業(yè)界的精確溫度系數(shù)特性,強(qiáng)化產(chǎn)品對電流感測的穩(wěn)定性,特別適用于高階可攜式應(yīng)用,如智慧型手機(jī)、小筆電和各類隨身型儲存產(chǎn)品。國巨PT 系統(tǒng)電流感測電阻已獲得國際大廠認(rèn)證,在2009 年2 月展開量產(chǎn)后,將于第二季開始出貨。PT 系列的推出,再次顯示...
2009-07-11
電流感測電阻 PT 系列 電源供應(yīng)器
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RECOM 推出全新20~50W PowerlinePlus轉(zhuǎn)換器
RECOM發(fā)表全新的20W~50W DC/DC轉(zhuǎn)換器PowerlinePlus系列,現(xiàn)有六款新模塊:RPP20-S_D、RPP20-S_DW、RPP30-S_D、RPP30-S_DW、RPP40-S、RPP50-S,采用RECOM新型ICE Technology,能使內(nèi)部熱損降到最低,并將大部份的熱傳導(dǎo)到周邊。
2009-07-11
PowerlinePlus 電源轉(zhuǎn)換器 RECOM RPP20-S_D RPP20-S_DW RPP30-S_D RPP30-S_DW RPP40-S RPP50-S
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FDMC8200:飛兆半導(dǎo)體推出雙MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200,可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。
2009-07-10
MOSFET FDMC8200 功率密度 效率
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大功率UPS無變壓器設(shè)計(jì)技術(shù)
采用無變壓器設(shè)計(jì)的UPS,雖然增加了逆變器的中線橋臂以及電池充放電轉(zhuǎn)換器,但與減少的磁性元件相比,總體來說成本降低了,并且減少了UPS的體積和重量,其重量是傳統(tǒng)UPS的50%或更低,占地面積為原來的60%,不需要后面和側(cè)面接線維修。
2009-07-10
無變壓器 UPS大功率UPS IGBT ABM技術(shù)
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冗余式UPS技術(shù)發(fā)展趨勢
UPS自20世紀(jì)60年代問世以來,在全世界范圍內(nèi)得到了廣泛地推廣和應(yīng)用。由于傳統(tǒng)單機(jī)UPS存在諸多弊端,冗余式UPS逐漸得到了發(fā)展,其技術(shù)革新一直倍受關(guān)注。本文針對冗余式UPS發(fā)展的必然性,介紹冗余式UPS技術(shù)的未來發(fā)展趨勢。
2009-07-10
ups 冗余式UPS 高頻鏈技 總線互聯(lián)
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通過功率MOSFET的頂面溫度估算結(jié)點(diǎn)溫度
通常,MOSFET數(shù)據(jù)手冊中提供的結(jié)點(diǎn)溫度數(shù)據(jù)只限于結(jié)到引腳和結(jié)到環(huán)境之間的熱阻。雖然可根據(jù)定制條件使用一些工具來實(shí)現(xiàn)更精確的熱仿真,但有時只需要時間來運(yùn)行仿真就可以了。
2009-07-09
功率MOSFET MOSFET 結(jié)點(diǎn)溫度
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杜邦與美能源部合作投資900萬美元太陽能研究項(xiàng)目
杜邦公司日前宣布,正與美國能源部合作一個投資900萬美元的太陽能研究項(xiàng)目,并計(jì)劃將這個耐用的、輕質(zhì)的、高效的、柔韌的薄膜光電模塊產(chǎn)品用于更廣泛的商業(yè)用途。
2009-07-09
薄膜光電模塊 太陽能模塊 超薄保護(hù)膜
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未來電源發(fā)展的架構(gòu)
近年電子及數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展及分布式供電系統(tǒng)的推廣,DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用越來越廣,新的微處理器、記憶體、DSP及ASIC都趨向要求低電壓、大電流供電。面對新世代的電子器件和負(fù)載,電源業(yè)要面對重大的挑戰(zhàn),產(chǎn)品除了能在低電壓輸出大電流外,還要做到體積小、重量輕、動態(tài)反應(yīng)快,噪聲小和價錢相宜。這...
2009-07-09
CPA DPA
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熱插拔電源模塊的應(yīng)用與安全控制
本文將介紹采用具有熱插拔功能的電源模塊組成48V分布式電源結(jié)構(gòu)時應(yīng)考慮的設(shè)計(jì)問題與用熱插拔控制器電路解決多個電路板或刀片刀片熱插拔運(yùn)行中的安會問題等二個方面的內(nèi)容。
2009-07-09
熱插拔 刀片構(gòu)建 IAM MOSFET
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