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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻，4.5V時導通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
TrenchFET 功率MOSFET N溝道器件
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先進功率控制助力耳機放大器延長播放時間
奧地利微電子的AS3560和AS3561立體聲耳機放大器使用動態(tài)功率控制技術(shù)，使移動電話和媒體播放器等便攜設(shè)備的播放時間更長。新型30mW耳機放大器可根據(jù)輸入信號幅度連續(xù)調(diào)整對應(yīng)的供電電壓，與傳統(tǒng)A/B類放大器相比，功耗顯著降低。
2012-06-29
功率控制 耳機 放大器
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IHS：DRAM市場呈現(xiàn)改善跡象 庫存水平下降
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場簡報，DRAM市場形勢繼續(xù)改善，一項關(guān)鍵指標顯示庫存水平相對于需求下降。
2012-06-29
DRAM市場 IHS
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給三星供應(yīng)氣體 林德擴大中國TFT-LCD市場版圖
氣體及解決方案供應(yīng)商聯(lián)華林德近日宣布，已與三星電子簽訂了長期氣體供應(yīng)合同，服務(wù)于三星電子最新的第8.5代TFT-LCD（薄膜晶體管液晶顯示器件）生產(chǎn)廠。這些超高純度氣體用于制造薄膜晶體管，而這些晶體管則控制著組成可視圖像的成千上萬個像素。
2012-06-29
林德 TFT-LCD 三星
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手機市場放緩不可怕 拆機結(jié)果顯示NOR閃存找到新的增長點
據(jù)最新的存儲與移動市場簡報，NOR閃存在手機和智能手機中的使用增長勢頭可能正在消退，但隨著平板電腦、汽車和工業(yè)市場的成長，有利可圖的嵌入應(yīng)用正在彌補手機應(yīng)用的頹勢。平板電腦、汽車和工業(yè)應(yīng)用，對于分散化的供應(yīng)商基礎(chǔ)來說是新的機會。
2012-06-29
NOR閃存 手機市場 閃存
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EP亮相2012第八屆北京國際LED展覽會
展會信息：本屆展會是由中國電子商會、全國高科技企業(yè)發(fā)展LED專委會、北京市經(jīng)濟和信息化委員會、中國OLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“2012北京國際OLED展覽會”， 共有223家全球電子企業(yè)參展，展會規(guī)模13,000平方米。參加此次展會主要有漢維通信、三星電子、等知名企業(yè)。同時此次展會“2012北京國際OLED展覽...
2012-06-28
2012第八屆北京國際LED展覽會
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EP亮相2012第八屆北京國際LED展覽會
展會信息：本屆展會是由中國電子商會、全國高科技企業(yè)發(fā)展LED專委會、北京市經(jīng)濟和信息化委員會、中國OLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“2012北京國際OLED展覽會”， 共有223家全球電子企業(yè)參展，展會規(guī)模13,000平方米。參加此次展會主要有漢維通信、三星電子、等知名企業(yè)。同時此次展會“2012北京國際OLED展覽...
2012-06-28
2012第八屆北京國際LED展覽會
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EP亮相2012第八屆北京國際LED展覽會
展會信息：本屆展會是由中國電子商會、全國高科技企業(yè)發(fā)展LED專委會、北京市經(jīng)濟和信息化委員會、中國OLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“2012北京國際OLED展覽會”， 共有223家全球電子企業(yè)參展，展會規(guī)模13,000平方米。參加此次展會主要有漢維通信、三星電子、等知名企業(yè)。同時此次展會“2012北京國際OLED展覽...
2012-06-28
2012第八屆北京國際LED展覽會
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SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
2012-06-28
Vishay MOSFET SiA436DJ
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