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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護(hù)產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能片外靜電放電(ESD)保護(hù)產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專(zhuān)有的集成ESD保護(hù)平臺(tái)設(shè) 計(jì)，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護(hù) ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線(xiàn)
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護(hù)產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能片外靜電放電(ESD)保護(hù)產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專(zhuān)有的集成ESD保護(hù)平臺(tái)設(shè) 計(jì)，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護(hù) ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線(xiàn)
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VLMx32**：Vishay 新型熱增強(qiáng)型功率SMD LED
Vishay宣布推出新系列功率表面貼裝LED，這些器件極大改進(jìn)了散熱與亮度。新型 VLMx32..器件采用帶引線(xiàn)框的 PLCC-4 封裝，可實(shí)現(xiàn)比采用 PLCC-2 封裝的 Vishay 高強(qiáng)度 SMD LED 的亮度提高了一倍。對(duì)于汽車(chē)應(yīng)用，VLMx32**器件已通過(guò) AEC-Q101 汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2008-06-20
VLMx32 LED
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全印制電子技術(shù)帶給PCB工業(yè)變革與進(jìn)步
全印制電子的噴墨打印技術(shù)在pcb中的應(yīng)用主要表現(xiàn)在三個(gè)方面：在圖形轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用；在埋嵌無(wú)源元件中的應(yīng)用；在直接形成線(xiàn)路和連接的全印制電子(含封裝方面)中的應(yīng)用。這些應(yīng)用為PCB產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革和進(jìn)步。
2008-06-18
全印制電子技術(shù)
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全印制電子技術(shù)帶給PCB工業(yè)變革與進(jìn)步
全印制電子的噴墨打印技術(shù)在pcb中的應(yīng)用主要表現(xiàn)在三個(gè)方面：在圖形轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用；在埋嵌無(wú)源元件中的應(yīng)用；在直接形成線(xiàn)路和連接的全印制電子(含封裝方面)中的應(yīng)用。這些應(yīng)用為PCB產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革和進(jìn)步。
2008-06-18
全印制電子技術(shù)
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全印制電子技術(shù)帶給PCB工業(yè)變革與進(jìn)步
全印制電子的噴墨打印技術(shù)在pcb中的應(yīng)用主要表現(xiàn)在三個(gè)方面：在圖形轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用；在埋嵌無(wú)源元件中的應(yīng)用；在直接形成線(xiàn)路和連接的全印制電子(含封裝方面)中的應(yīng)用。這些應(yīng)用為PCB產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革和進(jìn)步。
2008-06-18
全印制電子技術(shù)
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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