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由來已久的ToF技術(shù)真的不可取代？
大到谷歌、微軟，小到華強(qiáng)北，無不都在積極地研究這項(xiàng)技術(shù)！ToF這項(xiàng)技術(shù)由來已久，而今將會(huì)成為實(shí)現(xiàn)我們未來智能社會(huì)生活環(huán)境的最基礎(chǔ)的技術(shù)之一。ToF是Time of Flight的縮寫，中文直譯就是飛行時(shí)間。聽起來好像十分的炫酷，我們來看看百度怎么定義：
2016-09-19
傳感/MEMS 計(jì)算機(jī)視覺 圖像處理 VR/AR
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MOSFET靠什么進(jìn)軍IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域？
兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-09-18
功率晶體管 MOSFET IGBT 電源系統(tǒng)
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POL調(diào)節(jié)器中的輸入紋波和噪聲的來源是什么?
POL調(diào)節(jié)器上的輸入濾波器可發(fā)揮兩項(xiàng)重要的作用，一個(gè)作用是防止開關(guān)電源產(chǎn)生的電磁干擾到達(dá)電力線和影響其它設(shè)備，第二個(gè)作用是保護(hù)轉(zhuǎn)換器及其負(fù)載以避免輸入電壓中出現(xiàn)的瞬變，從而提高系統(tǒng)可靠性。因此，輸入電容器對(duì)于調(diào)節(jié)器的正確運(yùn)作及最大限度地減少來自開關(guān)調(diào)節(jié)器的噪聲排放至關(guān)重要。
2016-09-14
模擬設(shè)計(jì) 電源管理 電源模塊
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光纖激光器的模塊組成對(duì)切割質(zhì)量的影響
光纖激光器是激光切割機(jī)中的核心部件，一般來說，其對(duì)激光切割機(jī)的切割效果起到很大的影響。在選擇激光切割機(jī)時(shí)，客戶都非常注重光纖激光器的品牌，使用壽命甚至模塊集成方式。那么，今天小編就來給大家介紹一下光纖激光器的模塊組成。
2016-09-14
光纖激光器 切割質(zhì)量
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熱釋電紅外傳感器放大電路設(shè)計(jì)案例
隨著信息技術(shù)的普及，紅外探測(cè)技術(shù)取得了迅速的發(fā)展，并廣泛應(yīng)用于夜視儀、報(bào)警、醫(yī)療和自動(dòng)控制等領(lǐng)域。在紅外探測(cè)系統(tǒng)中，紅外傳感器是核心器件，它的性能決定了整個(gè)紅外探測(cè)系統(tǒng)的靈敏性，而前置放大電路又是影響紅外傳感器性能的關(guān)鍵部分。由于紅外傳感器的響應(yīng)信號(hào)十分微弱，故對(duì)前置放大器提...
2016-09-12
傳感/MEMS 技術(shù)實(shí)例 模擬設(shè)計(jì)
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工業(yè)旋轉(zhuǎn)變壓器傳感應(yīng)用的電氣設(shè)計(jì)要素
旋轉(zhuǎn)變壓器是機(jī)械或模擬傳感器，可用來確定電機(jī)的絕對(duì)位置和速度。旋轉(zhuǎn)變壓器傳感器可應(yīng)用于惡劣的環(huán)境，幫助獲得精確的角位置和速度數(shù)據(jù)。該類傳感器常用于工業(yè)，汽車和航空行業(yè)——特別是在電機(jī)或傳感器可能會(huì)被污染的惡劣環(huán)境中。
2016-09-09
傳感器 旋轉(zhuǎn)變壓器
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巧用LM324運(yùn)算放大器搭建電壓跟隨器
LM324運(yùn)算放大器是四運(yùn)放集成電路，采用14腳雙列直插塑料封裝，內(nèi)部有四個(gè)運(yùn)算放大器, 有相位補(bǔ)償電路，那么如何運(yùn)用LM324運(yùn)算放大器搭建電壓跟隨器呢？下面我們用簡(jiǎn)單的幾個(gè)范例與電壓跟隨器電路圖與大家講解下。
2016-09-08
運(yùn)算放大器 電壓跟隨器
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PCB設(shè)計(jì)寶典：做電工必須要精通的畫板技巧
對(duì)于立志當(dāng)電工的朋友們來說，畫板是門硬武藝，不練就不成功，就算你能記下MOS管的所有特性曲線，也終究是不入流?！肮び破涫拢叵壤淦鳌?，要做出一塊好的板子，除了要設(shè)計(jì)好原理之外，還要畫得好。
2016-09-07
畫板 PCB
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改善4H-SiC晶圓表面缺陷的高壓碳化硅解決方案
本文分析討論了生長(zhǎng)前氫氣蝕刻時(shí)間和缺陷密度之間的關(guān)系。事實(shí)上，透過發(fā)光致光和光分析方法，我們發(fā)現(xiàn)層錯(cuò)形式的外延層缺陷和表面缺陷的數(shù)量隨蝕刻時(shí)間增加而增多。增加氫氣蝕刻時(shí)間后，襯底位錯(cuò)變大，外延層缺陷數(shù)量增多。
2016-08-30
晶圓 高壓碳化硅
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