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175℃耐溫 + 全系列覆蓋,上海貝嶺高壓電機驅(qū)動芯片賦能工業(yè)與儲能場景
自 2018 年啟動工控與儲能市場戰(zhàn)略布局以來,上海貝嶺始終聚焦光伏儲能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動工具、電動車等核心領(lǐng)域,專注于為客戶打造高性價比的半導體產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案。公司產(chǎn)品矩陣覆蓋電源管理、信號鏈產(chǎn)品、功率器件三大核心領(lǐng)域,依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲器、馬達驅(qū)動、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、標準信號八大產(chǎn)品線,成功構(gòu)建起全面的模擬與數(shù)?;旌袭a(chǎn)品解決方案平臺。其中,在高壓電機驅(qū)動領(lǐng)域,公司產(chǎn)品覆蓋率已突破 80%。
2025-10-17
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意法半導體保障SPC58汽車MCU供應(yīng)20年,破解供應(yīng)鏈焦慮
全球領(lǐng)先的半導體解決方案提供商意法半導體(STMicroelectronics)近日宣布,將其廣受歡迎的SPC58系列汽車微控制器(MCU)的長期供應(yīng)計劃從原來的15年顯著延長至20年。這一重大決策意味著該系列通用及高性能產(chǎn)品線將確保至少供應(yīng)至2038年,而其中通用系列中的SPC58 H系列憑借其高達10MB的非易失性存儲器(NVM)容量,供應(yīng)期限更將延長至至少2041年,為汽車制造商和供應(yīng)商提供前所未有的供應(yīng)鏈安全性和長期穩(wěn)定性。
2025-09-12
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破局PMIC定制困境:無代碼方案加速產(chǎn)品落地
電源管理集成電路(PMIC)有益于簡化最終應(yīng)用并縮小其尺寸,也因此備受青睞。然而,當默認啟動時序和輸出電壓與應(yīng)用要求不符時,就需要定制上電設(shè)置。大多數(shù)情況下,電路沒有可以存儲這些設(shè)置的非易失性存儲器(NVM)。對此,低功耗微控制器是一個很好的解決方案,其功能特性和所包含的工具可以在上電時對PMIC控制寄存器進行編程,而不需要開發(fā)固件。本文將探討如何使用工具鏈來解決集成難題。該工具鏈無需開發(fā)固件,能夠簡化PMIC的定制過程,并顯著縮短開發(fā)周期。
2025-05-18
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動態(tài)存儲重構(gòu)技術(shù)落地!意法半導體全球首發(fā)可編程車規(guī)MCU破解域控制器算力僵局
意法半導體推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的存儲器,可徹底改變開發(fā)軟件定義汽車 (SDV) 和升級電動汽車平臺的艱難過程。
2025-04-17
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自動測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
人工智能(AI)應(yīng)用對高性能內(nèi)存,尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長,芯片設(shè)計因此變得更加復雜。自動測試設(shè)備(ATE)廠商是驗證這些芯片的關(guān)鍵一環(huán),目前正面臨著越來越大的壓力,需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上,在存儲器晶圓探針電源應(yīng)用中,PhotoMOS開關(guān)因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于減少信號失真,改善開關(guān)關(guān)斷隔離度,同時實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小,較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響,未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容,并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明,與6F2結(jié)構(gòu)相比,4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加,但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_成目標性能的合格水平。相比6F2器件,4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低,可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
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AMD 宣布推出第二代 Versal Premium 系列,滿足數(shù)據(jù)密集型工作負載需求
2024 年 11 月 12 日,加利福尼亞州圣克拉拉——AMD(超威,納斯達克股票代碼:AMD)今日宣布推出第二代 AMD Versal? Premium 系列,這款自適應(yīng) SoC 平臺旨在面向各種工作負載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal Premium 系列將成為 FPGA 行業(yè)首款在硬 IP 中采用 Compute Express Link (CXL?)3.1① 與 PCIe? Gen6 并支持 LPDDR5 存儲器的器件。
2024-11-13
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從富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下,市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預測,2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%,達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代,如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM,以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。
2024-11-08
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意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器,提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
意法半導體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度,為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個混合存儲器。
2024-10-17
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一文讀懂 嵌入式系統(tǒng)外設(shè)器件的類型及其選擇
本文介紹了嵌入式系統(tǒng)外設(shè)器件的選擇,包括存儲器、時鐘源、定時器、通信接口和輸入/輸出接口等。文章介紹了多種存儲器類型及其選擇考慮因素,多種時鐘源的類型及其選擇考慮因素。強調(diào)了定時器精度和計時范圍的重要性。文章還介紹了通信接口類型、常見通信協(xié)議及其選擇因素,以及主要的輸入/輸出接口等,并總結(jié)了選擇這些外設(shè)器件時的關(guān)鍵考量。
2024-10-16
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DigiKey開售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology(金士頓)合作,向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產(chǎn)品制造商之一,Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶,提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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意法半導體突破20納米技術(shù)節(jié)點,提升新一代微控制器的成本競爭力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝,支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術(shù)是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發(fā),使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍,同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?;谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片,2025 年下半年排產(chǎn)。
2024-03-26
- 強強聯(lián)手!貿(mào)澤電子攜手ATI,為自動化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準精準醫(yī)療,Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計更自由
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