123,123

安防監(jiān)控

EPCOS推出消費和工業(yè)電子應(yīng)用表貼鋁電解電容器

愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費和工業(yè)電子領(lǐng)域，是鉭電容器的價格合適的替代品。

2008-08-01

鋁電解電容器

S系列：Vishay改進的軍用級高精度箔電阻

Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。

2008-07-30

箔電阻 S系列軍用級

MCT 0603 AT：Vishay高性能專業(yè)汽車薄膜貼片電阻

Vishay宣布推出采用 0603 封裝尺寸的業(yè)界首款專業(yè)汽車用薄膜貼片電阻，該電阻結(jié)合了高達 +175°C（1000 小時）的高工作溫度以及先進額定功率。

2008-07-30

MCT 0603 AT 薄膜貼片電阻汽車電子

MCT 0603 AT：Vishay高性能專業(yè)汽車薄膜貼片電阻

2008-07-30

MCT 0603 AT 薄膜貼片電阻汽車電子

VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻

Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定性。

2008-07-16

VSA101 Z 箔電阻軍用級

VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻

2008-07-16

VSA101 Z 箔電阻軍用級

STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管

Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計人員提高汽車及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode