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英國研究小組開發(fā)出制造薄膜太陽能電池的新技術
英國索耳福大學某研究小組聲稱已發(fā)現(xiàn)制造薄膜太陽能電池的新技術，對新興行業(yè)而言可降低成本和提高可靠性。研究小組改造了一種在玻璃行業(yè)中被廣為使用、被稱為磁控濺鍍法的物質(zhì)沉積技術，用以創(chuàng)造銅銦硒（CIS ）和銅銦鎵硒（CIGS ）薄膜太陽能電池。
2008-12-25
薄膜太陽能電池 太陽能電池
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
2008-12-24
Si7633DP Si7135DP MOSFET 超低導通電阻
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愛普科斯與New Scale合作開發(fā)微型直線電機
電子元件及模塊和系統(tǒng)生產(chǎn)商愛普科斯公司與超小型運動系統(tǒng)制造商NewScaleTechnologies,Inc.(以下簡稱NewScale)達成了一項科技合作協(xié)議，旨在開發(fā)獨創(chuàng)性超聲波電機。此次合作結合了NewScale在開發(fā)微型壓電式電機方面的先進技術與愛普科斯在生產(chǎn)多層壓電元件的能力
2008-12-24
愛普科斯 直線電機 NewScale 多層壓電
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MEMS和石英技術爭奪振蕩器市場
——訪SiTime公司副總裁Piyush Sevalia先生據(jù)業(yè)界預測，MEMS(微電子機械系統(tǒng))振蕩器正以120%的年增長率（在某些地方是該增長率的四倍）逐漸取代石英晶體振蕩器。與石英晶體相比，MEMS振蕩器的封裝很小，而且價格相對更實惠，因此更適用于消費電子產(chǎn)品。 筆者在美國硅谷采訪了MEMS(微電子機械系統(tǒng))振蕩器領先供應商SiTime公司副總裁Piyush ...
2008-12-23
MEMS振蕩器 石英晶振 精度 Sitime 供貨周期 頻率 抖動 擴頻
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FOD3120/50：飛兆最佳抗噪性能的柵極驅(qū)動光電耦合器
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出兩款柵極驅(qū)動光電耦合器FOD3120 和 FOD3150，為光伏逆變器、電機驅(qū)動和感應加熱應用帶來同級最佳共模抑制(common mode rejection, CMR)。
2008-12-23
FOD3120 FOD3150 濾波器 光電耦合器 共模抑制 CMR IGBT MOSFET
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HVS連接器系統(tǒng)：泰科電子全新風能設備應用產(chǎn)品
近期，泰科電子宣布推出全新HVS（高可變性系統(tǒng)）連接器系統(tǒng)。該連接器具備25種不同的連接器模塊，可以使風能制造商及安裝人員不必借助任何安裝工具即可在金屬框架內(nèi)輕松快捷地安裝與拆卸，從而為客戶節(jié)省了大量的安裝與維護的時間與成本。
2008-12-23
HVS 連接器 高可變性系統(tǒng) 風能 設備應用
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AMP-TWIST 6S SL：泰科電子全新DIN軌道式模塊插座安裝套件
近日，全球領先的電子組件供應商泰科電子面向國內(nèi)市場推出一款全新DIN導軌式RJ45水晶頭插座產(chǎn)品，旨在簡化工業(yè)機柜和工廠應用的結構化布線系統(tǒng)。
2008-12-22
AMP-TWIST 6S SL RJ45 插座 連接器
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松下電器試制出降低導通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導體、耐壓為9.4kV，導通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導通電阻為1000mΩcm2。設想用于工作電壓從數(shù)百伏消費類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設備等廣泛領域。
2008-12-22
半導體 二極管 消費電子 電氣設備 分立器件 導通電阻
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業(yè)界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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