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電路保護(hù)

詳細(xì)解讀MOS管驅(qū)動(dòng)電路

在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，大多數(shù)人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有一些人只考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。

2018-08-06

MOS管驅(qū)動(dòng)電路

簡析電磁兼容EMC

EMC（Electro MagneTIc CompaTIbility）——電磁兼容，是指電子、電氣設(shè)備或系統(tǒng)在預(yù)期的電磁環(huán)境中，按設(shè)計(jì)要求正常工作的能力，也是電子、電氣設(shè)各或系統(tǒng)的一項(xiàng)重要的技術(shù)性能。

2018-08-02

電磁兼容 EMC

分享控制ESD的基本方法

我們都知道靜電不能被消除，只能被控制。本文將會給大家分享控制ESD的基本方法，從堵和導(dǎo)兩方面入手開始了解，再進(jìn)一步舉例分析方法。

2018-08-01

控制ESD

如何借助雪崩二極管提供過壓保護(hù)？

當(dāng)IGBT在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時(shí)，總會發(fā)生過壓。例如，當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí)，集電極發(fā)射極電壓突然上升，達(dá)到非常高的峰值。由開關(guān)引起的過電壓會嚴(yán)重?fù)p壞甚至破壞開關(guān)晶體管。

2018-08-01

電路保護(hù) IGBT 二極管電源管理功率器件

匯聚高校英才共圓中國“芯”之夢

2018年7月30日，第二屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽總決賽組委會宣布，存儲行業(yè)龍頭公司長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱長江存儲）與大賽達(dá)成合作，將冠名大賽總決賽，以期匯聚高校集成電路英才，共圓中國“芯”之夢。

2018-07-31

集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽

說說1P+N與2P漏電開關(guān)在選用上的區(qū)別！

首先要弄明白，漏電開關(guān)雖然有不同的規(guī)格，但它們的結(jié)構(gòu)都是一樣的，差別只是所配的前接斷路器而已。斷路器有兩種脫扣器，分別是熱脫扣器和磁脫扣器。熱脫扣器對應(yīng)于過載保護(hù)，磁脫扣器對應(yīng)于短路保護(hù)。

2018-07-31

漏電開關(guān) 斷路器過載保護(hù) 短路保護(hù)

深度解析薄膜hove和電解電容器的優(yōu)勢

電容器可用于提供重要的穿越（ride-through）（或保持）能量，或用于減小電源轉(zhuǎn)換電路中的紋波及噪聲。選擇正確類型的電容器可能會對系統(tǒng)的總體尺寸、成本和性能產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。本文將討論一些常見應(yīng)用中薄膜和電解電容器的優(yōu)勢。

2018-07-27

薄膜hove 電解電容器

MOSFET電容對LLC串聯(lián)諧振電路的作用

LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。

2018-07-26

MOSFET電容 LLC 串聯(lián)諧振電路

簡析穩(wěn)壓電路中電容的作用及應(yīng)用

電容在穩(wěn)壓電路中的有什么作用呢？在分析電容在穩(wěn)壓電路中的作用中，它有兩類電子元件，一類是本章將要介紹的電容，圖中標(biāo)號為C1、C2、C3；另一類是三端穩(wěn)壓集成電路LM7805，圖中標(biāo)號為U1。LM7805是一種三端穩(wěn)壓集成電路，它可以將電壓值為7～30V的直流輸入信號轉(zhuǎn)為電壓值為5V的直流信號輸出。

2018-07-26

穩(wěn)壓電路電容