短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。

2023-05-20

短溝道  MOS  晶體管

貿(mào)澤電子第九次榮獲TE Connectivity年度全球卓越服務(wù)代理商獎(jiǎng)

2023年5月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布第九次榮獲全球連接器和傳感器知名供應(yīng)商TE Connectivity (TE) 頒發(fā)的年度全球卓越服務(wù)代理商獎(jiǎng)。此項(xiàng)大獎(jiǎng)肯定了貿(mào)澤電子2022年在銷量增長(zhǎng)、市場(chǎng)份額增長(zhǎng)、客戶增長(zhǎng)以及在商業(yè)推廣...

2023-05-19

貿(mào)澤電子  TE  卓越服務(wù)代理商

一份不錯(cuò)的LDO電容選型指南！

2023-05-19

變壓器的應(yīng)用場(chǎng)景及解決方案

變壓器能把任一數(shù)值的電壓轉(zhuǎn)變成頻率相同的我們所需的電壓值，以滿足電能的輸送，分配和使用要求。

2023-05-19

解析DDR設(shè)計(jì)中容性負(fù)載補(bǔ)償?shù)淖饔?/span>

關(guān)于容性負(fù)載的介紹，高速先生之前有寫過(guò)一遍文章《DDR3系列之容性負(fù)載補(bǔ)償，你聽都沒聽過(guò)？》，今天我們進(jìn)一步研究一下。先來(lái)了解一下容性負(fù)載和感性負(fù)載對(duì)鏈路阻抗的影響。仿真鏈路模型如下圖所示。鏈路中有三段50Ω的理想傳輸線，第一段和第二段之間增加一個(gè)電容模擬容性負(fù)載，第二段和第三段之間...

2023-05-19

DDR設(shè)計(jì)  負(fù)載補(bǔ)償

Σ －Δ ADC的高精度數(shù)模轉(zhuǎn)化，是如何實(shí)現(xiàn)的？

你可能會(huì)知道Delta-Sigma(Σ-Δ) ADC可以達(dá)到很高的精度，它是具體怎么實(shí)現(xiàn)的？ 本文將從量化噪聲、信噪比、過(guò)采樣等概念出發(fā)，分析Delta-Sigma ADC的工作原理。

2023-05-19

Σ －Δ ADC  數(shù)模轉(zhuǎn)化

2023深圳國(guó)際線圈工業(yè)、電子變壓器及繞線設(shè)備展圓滿閉幕，明年再見！

5月12日，為期三天的2023深圳國(guó)際線圈工業(yè)、電子變壓器及繞線設(shè)備展圓滿閉幕，同期舉辦第21屆深圳國(guó)際小電機(jī)磁性材料展。

2023-05-18

電子變壓器

優(yōu)化智能存儲(chǔ)適配器性能

優(yōu)化存儲(chǔ)適配器性能可確保存儲(chǔ)處理由存儲(chǔ)適配器而不是服務(wù)器處理，從而在寫入和讀取數(shù)據(jù)時(shí)減輕 CPU 的壓力。由于適配器在出廠時(shí)配置為為常規(guī)環(huán)境提供最佳的全方位設(shè)置，因此優(yōu)化適配器配置以預(yù)測(cè)應(yīng)用程序存儲(chǔ)需求可以顯著提高性能。

2023-05-18

智能存儲(chǔ)  適配器

具有高性價(jià)比的無(wú)線 MCU 如何幫助您將低功耗 Bluetooth?? 技術(shù)應(yīng)用到更多產(chǎn)品中

環(huán)顧我們當(dāng)前日常生活中的 Bluetooth? 應(yīng)用，我們有理由期待未來(lái)世界能夠?qū)崿F(xiàn)更高程度的互聯(lián)。據(jù)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）估計(jì)，藍(lán)牙設(shè)備的年出貨量將在 2026 年超過(guò) 70 億。在醫(yī)療設(shè)備、玩具、個(gè)人電子產(chǎn)品、智能家居設(shè)備等領(lǐng)域，市場(chǎng)需要更高的藍(lán)牙集成度。為滿足該市場(chǎng)需求，富有創(chuàng)新精神的工程師將有...

2023-05-18

無(wú)線 MCU  低功耗Bluetooth