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南方芯源推出全系列外延片快恢復(fù)二極管
南方芯源(Samwin)推出全系列外延片快恢復(fù)二極管。此系列FRED使用外延片做基片,相對(duì)于雙擴(kuò)片做基片的產(chǎn)品,一致性更好,耐壓性能更好,產(chǎn)品體現(xiàn)出快的恢復(fù)時(shí)間,目前已在UPS及HID行業(yè)廣泛應(yīng)用。
2008-09-23
外延片快恢復(fù)二極管 FRED UPS HID
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影響中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的矛盾
目前,中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的主要矛盾依然突出,成為影響產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的絆腳石,制約了國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的進(jìn)一步提升。
2008-09-22
電子信息產(chǎn)業(yè)
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VJ0805/1206/1210/1808/1812:Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布,其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì),旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。
2008-09-19
VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器
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微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國(guó)為技術(shù)強(qiáng)國(guó)
近幾年,我國(guó)微特電機(jī)行業(yè)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,尤其在長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國(guó)微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國(guó)已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國(guó)。
2008-09-18
微特電機(jī)
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VPR221Z/SZ :Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W (典型值)的優(yōu)越功率系數(shù)(“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”)及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國(guó)遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日,我國(guó)又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè),被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國(guó)大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單,今年以來,我國(guó)已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識(shí)產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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中能打破多晶硅技術(shù)壟斷 成中國(guó)硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息,總部位于香港的太陽能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請(qǐng),而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日,Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立,主要從事MOSFET全新溝通工藝,電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應(yīng)合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽能有限公司(下稱“賽維LDK”)昨日宣布,公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽能多晶硅片供應(yīng)合同。后者是印度最大的太陽能企業(yè)。
2008-08-20
多晶硅 太陽能
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