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3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術
當10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開關電源的百mV級紋波、LDO基準源的μV級噪聲，甚至PCB地彈效應，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類電源噪聲（低頻紋波/高頻開關/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級到系統(tǒng)級的七重凈化方案，助您將電源噪聲壓至<3μV RMS。
2025-06-30
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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
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μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質出發(fā)，拆解LDO、開關電源及混合架構的噪聲基因，并通過多場景實測數(shù)據(jù)，揭示高精度信號鏈的電源設計法則。
2025-06-19
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如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)？
在開關模式電源（SMPS）中使用氮化鎵（GaN）技術時，盡管其在高功率密度、高頻開關和低功耗方面具有顯著優(yōu)勢，但也面臨一系列技術挑戰(zhàn)。
2025-06-10
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不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開關頻率、低導通損耗的特性，正在快速滲透消費電子、汽車電驅和數(shù)據(jù)中心等領域。然而，不同拓撲結構對GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領域的LLC諧振拓撲需要高頻率下的電磁干擾控制，而車載雙向逆變器更關注動態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓撲、雙向逆變拓撲、多電平拓撲及汽車主驅模塊中的氮化鎵技術痛點，揭示材料特性與系統(tǒng)設計間的矛盾性關系。
2025-06-10
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集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
在新能源汽車主驅模塊（如800V平臺）中，多電平拓撲通過串聯(lián)開關器件實現(xiàn)高壓階梯化處理，但分立式驅動方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-10
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多通道同步驅動技術中的死區(qū)時間納米級調控是如何具體實現(xiàn)的？
在電力電子系統(tǒng)中，多通道同步驅動的死區(qū)時間直接影響系統(tǒng)效率和安全性。傳統(tǒng)方案常面臨時序誤差累積（±10ns以上）、開關損耗高（占系統(tǒng)總損耗15%-25%）和模式切換不靈活等痛點。納米級死區(qū)調控技術通過硬件架構革新與智能算法協(xié)同，將控制精度提升至亞納秒級，為新能源汽車、高頻電源等場景提供關鍵技術支撐。本文將深入解析其實現(xiàn)路徑與產(chǎn)業(yè)突破方向。
2025-06-10
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高頻時代的電源革命：GaN技術如何顛覆傳統(tǒng)開關電源架構？
在電力電子系統(tǒng)對能效和功率密度要求日益嚴苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術已成為推動開關模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導通電阻（RDS(ON)），可將開關頻率提升至兆赫級，同時減少30%以上的能量損耗。然而，其實際應用中仍面臨驅動設計、熱管理、電磁兼容性等挑戰(zhàn)。以半橋降壓轉換器為例，GaN開關的柵極電壓耐受值更低（通常<6V），且快速切換（dV/dt達100V/ns）易引發(fā)寄生振蕩和電磁干擾（EMI），這對電路布局和驅動控制提出了更高要求。
2025-06-09
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車輛區(qū)域控制架構關鍵技術——趨勢篇
向軟件定義汽車 (SDV) 的轉型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護的半導體開關。電子保險絲和 SmartFET 可為負載、傳感器和執(zhí)行器提供保護，從而提高功能安全性，更好地應對功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構，區(qū)域控制架構采用集中控制和計算的方式，將分散在各個 ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強大的中央計算機處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。
2025-06-04
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如何通過 LLC 串聯(lián)諧振轉換器優(yōu)化LLC-SRC設計？
十幾年來，電源行業(yè)廣泛采用了圖 1 中所示的電感器-電感器-電容器 (LLC) 串聯(lián)諧振轉換器 (LLC-SRC) 作為低成本、高效率的隔離式功率級，其中包含兩個諧振電感器（兩個“L”：Lm 和 Lr）和一個諧振電容器（一個“C”：Cr）。LLC-SRC 器件具有軟開關特性，沒有復雜的控制方案。得益于軟開關特性，該器件支持使用額定電壓較低的元件，并可提高效率。該器件采用簡單的控制方案，即具有 50% 固定占空比的變頻調制方案，與相移全橋轉換器等用于其他軟開關拓撲的控制器相比，所需的控制器成本更低。
2025-05-21
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工程師必看！從驅動到熱管理：MOSFET選型與應用實戰(zhàn)手冊
MOSFET因其獨特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業(yè)設備、智能手機及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個方面：驅動電路設計簡化，所需驅動電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅動；開關速度優(yōu)異，無電荷存儲效應，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強，無二次擊穿風險，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。
2025-05-15
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功率器件新突破！氮化鎵實現(xiàn)單片集成雙向開關
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復雜度。
2025-05-11
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