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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來(lái)看，還沒(méi)有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?，F(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問(wèn)題。
2022-02-08
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用于信號(hào)和數(shù)據(jù)處理電路的低噪聲、高電流、緊湊型DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、片上系統(tǒng)(SoC)和微處理器等數(shù)據(jù)處理IC不斷擴(kuò)大在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車、航空電子和國(guó)防系統(tǒng)領(lǐng)域的應(yīng)用。這些系統(tǒng)的一個(gè)共同點(diǎn)是處理能力不斷提高，導(dǎo)致原始功率需求相應(yīng)增加。設(shè)計(jì)人員很清楚高功率處理器的熱管理問(wèn)題，但可能不會(huì)考慮電源的熱管理問(wèn)題。與晶體管封裝處理器本身類似，當(dāng)?shù)蛢?nèi)核電壓需要高電流時(shí)，熱問(wèn)題在最差情況下不可避免——這是所有數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的總體電源趨勢(shì)。
2022-01-30
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開(kāi)發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我們介紹了電動(dòng)車快速充電器的主要系統(tǒng)要求，概述了這種充電器開(kāi)發(fā)過(guò)程的關(guān)鍵級(jí)，并了解到安森美(onsemi)的應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)正在開(kāi)發(fā)所述的充電器?，F(xiàn)在，在第二部分中，我們將更深入研究設(shè)計(jì)的要點(diǎn)，并介紹更多細(xì)節(jié)。特別是，我們將回顧可能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，探討其優(yōu)點(diǎn)和權(quán)衡，并了解系統(tǒng)的骨干，包括一個(gè)半橋SiC MOSFET模塊。
2022-01-28
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如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢(shì)？
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現(xiàn)在已開(kāi)始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
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在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量
在經(jīng)過(guò)多年研究和設(shè)計(jì)之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來(lái)越實(shí)用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動(dòng)要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負(fù)偏置電壓時(shí)會(huì)關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn)，機(jī)身二極管壓降較高，因此對(duì)空轉(zhuǎn)時(shí)間和打開(kāi)/關(guān)閉跳變的控制要求要更嚴(yán)格。
2022-01-27
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷超49000種Amphenol產(chǎn)品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯(lián)系統(tǒng)供應(yīng)商Amphenol Corporation的新款產(chǎn)品和解決方案。貿(mào)澤備貨Amphenol及其41個(gè)部門的全系列產(chǎn)品，總數(shù)超過(guò)49600種。
2022-01-26
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如何構(gòu)建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動(dòng)了汽車的發(fā)展，要求汽車制造商提高新車動(dòng)力總成的電氣化水平。輕混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(MHEV)采用48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)來(lái)幫助減少內(nèi)燃機(jī)(ICE) 的GHG排放，已成為實(shí)現(xiàn)合規(guī)性的極具吸引力的選擇，因?yàn)檫@種汽車的實(shí)現(xiàn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于全混合動(dòng)力電動(dòng)汽車。本白皮書介紹如何使用DRV3255-Q1 48V BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在 MHEV 中實(shí)現(xiàn)汽車安全完整性等級(jí)D(ASIL D) 功能安全，同時(shí)提供高達(dá) 30kW 的電機(jī)功率和高集成度以幫助減小布板空間。
2022-01-25
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貿(mào)澤電子備貨豐富多樣的Murata產(chǎn)品
Murata是陶瓷無(wú)源電子元件、無(wú)線連接模塊和電源轉(zhuǎn)換技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球先鋒。貿(mào)澤電子作為其全球授權(quán)分銷商，庫(kù)存有來(lái)自Murata Electronics、Murata Power Solutions及Murata IPDiA的19,000多種產(chǎn)品，并且還在不斷引入新的解決方案。
2022-01-21
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貿(mào)澤電子內(nèi)容中心推出機(jī)器人專題，一站提供各類豐富資源及前沿產(chǎn)品
2022年1月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 在貿(mào)澤內(nèi)容中心開(kāi)辟了機(jī)器人專題，為工程師提供廣泛而深入的專業(yè)知識(shí)和內(nèi)容，幫助其加快機(jī)器人設(shè)計(jì)速度。此專題包含一系列文章、博客、圖表和精選產(chǎn)品，重點(diǎn)介紹全球知名制造商的特色產(chǎn)品，以及如何將其解決方案合理實(shí)現(xiàn)到機(jī)器人應(yīng)用和機(jī)器人過(guò)程自動(dòng)化 (RPA) 解決方案中。要開(kāi)始探索貿(mào)澤內(nèi)容中心的機(jī)器人專題，請(qǐng)從導(dǎo)航菜單中選擇Applications（應(yīng)用）中的Industrial（工業(yè)）板塊，并進(jìn)入Robotics（機(jī)器人）專題；或者也可直接點(diǎn)擊https://resources.mouser.com/robotics。
2022-01-20
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如何加快設(shè)計(jì)和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時(shí)序系統(tǒng)是關(guān)鍵！
各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來(lái)越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計(jì)中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過(guò)使用ASIC、FPGA和微處理器來(lái)解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。
2022-01-20
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橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
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低邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2022-01-19
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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