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貿(mào)澤隆重推出新一期EIT計(jì)劃，探索智能家居技術(shù)與Matter連接標(biāo)準(zhǔn)的交集
2023年6月21日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計(jì)劃推出最新一期內(nèi)容，重點(diǎn)關(guān)注Matter連接標(biāo)準(zhǔn)。在本期EIT中，連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟 (CSA) 和業(yè)界知名制造商的全球技術(shù)專(zhuān)家齊聚一堂，共同探討Matter從市場(chǎng)推廣到設(shè)計(jì)規(guī)范的各個(gè)方面。
2023-06-21
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車(chē)、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰(zhàn)。
2023-06-19
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
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如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率
牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-06-14
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中科融合劉欣：從MEMS微振鏡芯片入手，全棧式解決3D機(jī)器視覺(jué)挑戰(zhàn)
5月12日，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)IC設(shè)計(jì)分會(huì)（ICCAD）、芯原股份、松山湖管委會(huì)主辦的主題為“AR/VR/XR×元宇宙”的“2023松山湖中國(guó)IC創(chuàng)新高峰論壇”正式在廣東東莞松山湖召開(kāi)。中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區(qū)）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中科融合”）發(fā)布了面向3D視覺(jué)領(lǐng)域的自研的MEMS微振鏡投射芯片。
2023-06-14
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貿(mào)澤電子聯(lián)手TI推出全新電子書(shū)探索城市空中運(yùn)輸?shù)奈磥?lái)
2023年6月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Texas Instruments聯(lián)手推出全新電子書(shū)《Addressing New Challenges in Urban Air Mobility》（克服城市空中運(yùn)輸?shù)男绿魬?zhàn)），探索新一代空中運(yùn)輸面臨的全新問(wèn)題，并探討設(shè)計(jì)人員如何更好地攻克這些難題。
2023-06-13
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2023 SiFive RISC-V中國(guó)技術(shù)論壇即將盛大開(kāi)幕，北上深再掀開(kāi)源風(fēng)暴
指令精簡(jiǎn)、模塊化、可擴(kuò)展……已于2022年利用7年時(shí)間達(dá)成出貨量100億顆的里程碑，RSIC-V正在充分發(fā)揮自身的開(kāi)放開(kāi)源優(yōu)勢(shì)，一路開(kāi)疆拓土。身為RISC-V的發(fā)明者與領(lǐng)導(dǎo)廠商，SiFive正發(fā)揮開(kāi)源生態(tài)疊加未來(lái)計(jì)算新范式的“鏈主”效應(yīng)，致力于將RISC-V的無(wú)限潛力引領(lǐng)至高性能處理器與高算力場(chǎng)景應(yīng)用中。
2023-06-13
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小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案中如何選擇驅(qū)動(dòng)IC
電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為工業(yè)4.0中工廠自動(dòng)化整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。因此，工業(yè)4.0對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)提出了更高的性能和功能要求，例如更快的響應(yīng)速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制、以及更豐富的網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)功能等。針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)合的電機(jī)，我們應(yīng)該選擇與之相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方案。簡(jiǎn)單地來(lái)說(shuō)，功率大的電機(jī)應(yīng)該選用內(nèi)阻小、電流容許大的驅(qū)動(dòng)，功率小的電機(jī)就可以選用較低功率的驅(qū)動(dòng)。
2023-06-09
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對(duì)比兩個(gè)具有無(wú)限間斷點(diǎn)信號(hào)的頻譜
今天想到一個(gè)問(wèn)題， 這里有兩個(gè)都帶有無(wú)窮多個(gè)間斷點(diǎn)的信號(hào)。它們都位于 0,1 之間。?第一個(gè)信號(hào)是從 0 開(kāi)始往1前進(jìn)， 每前進(jìn)剩余路程的一半，幅值降低一半。?第二個(gè)信號(hào)是從 0 往 1 前進(jìn)， 每次都前進(jìn)剩余路程的一半。在前進(jìn)的路程中出現(xiàn)一個(gè)寬度為路程長(zhǎng)度一半的矩形脈沖信號(hào)。?根據(jù)傅里葉變換， 這兩個(gè)信號(hào)都不滿足 Dirichlet 條件。那么他們傅里葉變換是什么呢？
2023-06-08
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級(jí)。
2023-06-07
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第4代SiC MOS、1700V驅(qū)動(dòng)…意法半導(dǎo)體透露了這些重點(diǎn)
過(guò)去一年，產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先企業(yè)是如何抓住歷史機(jī)遇勇立潮頭？2023年，他們又將如何邁出新時(shí)代步伐？為此，行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖開(kāi)年說(shuō)——2023，全力奔跑》專(zhuān)題報(bào)道，本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品部營(yíng)銷(xiāo)和應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGER。
2023-06-07
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
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