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關于ESD的常識及防護
ESD是Electro Static Discharge英文的縮寫，中文含義即靜電放電：處于不同電位的兩個物體之間，由于直接接觸或靜電場感應導致的電荷傳輸（轉移）?？梢?，靜電與靜電放電（ESD）是完全不同的物理概念或物理過程。一個是“靜”，一個是“動”。 伴隨著靜電放電，往往有電量的轉移、電流的產(chǎn)生和電磁場輻射。
2019-01-31
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3D Touch壓力感應觸控技術 集成電容式觸控和紅外線感應的全新觸控技術
3D Touch觸控技術，就是在Apple Watch上采用的Force Touch，屏幕可感應不同的感壓力度觸控3D Touch（在二維的Multi-Touch觸摸屏基礎上添加了可以對用戶按壓屏幕的力度大小作出響應和反饋的功能，可以說是Multi-Touch觸控技術的升級版本）， 可識別用戶觸摸時的壓力，通過點和按來進行不同的操作。
2019-01-21
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炬佑智能CEO：2019年ToF傳感器大爆發(fā)，未來將“飛向”4D感知
未來已來，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）落地已近在眼前，而飛行時間（Time of Flight, ToF）傳感器則是實現(xiàn)IoT的關鍵技術之一，在智能家居、智能安防、智能零售、智慧醫(yī)療、智慧農業(yè)等各個領域都發(fā)揮著巨大作用。炬佑智能首席執(zhí)行官劉洋先生對ToF傳感器如何實現(xiàn)從3D感知“飛向”4D感知進行了分析。
2019-01-19
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簡析電容傳感器原理
電容傳感器，英文名稱為capacitive type transducer，是一種將其他量的變換以電容的變化體現(xiàn)出來的儀器。
2019-01-10
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解讀光學相干層析成像技術
光學相干層析(Optical Coherence Tomography，簡稱 OCT)是 20 世紀 90 年代初發(fā)展起來的低損、高分辨、非侵入式的醫(yī)學、成像技術。它的原理類似于超聲成像，不同之處是它利用的是光，而不是聲音。
2019-01-05
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自動駕駛汽車的關鍵傳感器LIDAR
在 Voyage 上我們分享了關于 Homer 的新消息，即第一個自動駕駛出租車。Homer 配備了一系列的傳感器，來理解世界并進行導航，其中的關鍵設備是 LIDAR （light detection and ranging 的縮寫）。在這篇博文中，你將會學習到更多關于 LIDAR 的知識，包括它在自動駕駛汽車空間中的起源，以及它是如何從眾多傳感器中脫穎而出的。請盡情享受這篇文章！
2019-01-03
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如何區(qū)分獨石電容和陶瓷電容?
獨石電容器是多層陶瓷電容器的別稱，英文名稱monolithic ceramic capacitor或mulTI-layer ceramic capacitor， 簡稱MLCC，廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。
2018-12-28
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探一探毫米波雷達技術的發(fā)展趨勢
在上一篇《毫米波雷達在ADAS中的應用》中，麥姆斯咨詢提到隨著ADAS普及率的提升，要能夠全方位覆蓋汽車周圍環(huán)境的感測，一輛汽車會裝載“長+中+短”多顆毫米波雷達，到了最終L5級自動駕駛階段甚至超過10顆，預計2021年全球毫米波雷達的出貨量將達到8400萬個。這是一個可預見的龐大市場，所以無論是傳統(tǒng)的汽車Tier 1廠商，還是新興的初創(chuàng)企業(yè)，都紛紛加入到汽車雷達產(chǎn)業(yè)中來，希望能分一杯羹！
2018-12-21
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可控硅結構靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)結構靜電防護器件由于其自身的正反饋機制，具有單位面積泄放電流高、導通電阻小、魯棒性強、防護級別高的優(yōu)點，但同時它還引入了觸發(fā)電壓高響應速度慢、維持電壓低易閂鎖的缺點。
2018-12-20
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電子連接器的四個制造階段
電子連接器種類繁多，但制造過程基本相同。一般情況下可分為四個階段：沖壓(Stamping)、電鍍(Plating)、注塑(Molding)和組裝(Assembly)。
2018-12-19
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電磁超聲傳感器的三大典型結構
電磁超聲檢測技術由于具有非接觸的優(yōu)點，探頭不存在磨損，適合于高速、高溫等惡劣工況檢測。尤其是功率電子技術的發(fā)展，解決了電磁超聲傳感器（Electromagnetic acoustic transducer, EMAT）換能效率低的功率問題，極大地促進了EMAT技術的發(fā)展，特別是其易于激勵出SH波，具有壓電超聲傳感器不可比擬的優(yōu)點，成為近年來無損檢測技術的研究熱點之一。
2018-12-11
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功率MOSFET線性區(qū)負溫度系數(shù)
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導致其流過更大的電流，結果溫度更高，從而形成局部熱點導致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負溫度系數(shù)區(qū)。
2018-11-29
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