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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)AlInGaP技術(shù)的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點(diǎn)。
2008-05-09
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過(guò)AEC-Q200測(cè)試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對(duì)溫度和濕度的新要求，同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設(shè)計(jì)，可增加信號(hào)清晰度。當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí)，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對(duì)容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
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Vishay榮獲EE Times評(píng)選的模擬集成電路類年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay宣布，該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅(qū)動(dòng)器榮獲2008年EE Times評(píng)選的年度電子產(chǎn)品創(chuàng)新 (ACE) 獎(jiǎng)項(xiàng)中的模擬集成電路類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。ACE 獎(jiǎng)褒獎(jiǎng)電子工程業(yè)最具創(chuàng)新的公司及突破性技術(shù)。
2008-05-06
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TSFF5510：Vishay寬視角新型高功率高速紅外發(fā)射器
Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。通過(guò)其獨(dú)特設(shè)計(jì)的鏡頭，TSFF5510具有 ±38o 視角，與標(biāo)準(zhǔn)的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。
2008-04-30
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8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器
日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩(wěn)定的反向恢復(fù)時(shí)間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損失。
2008-04-25
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Vishay的電點(diǎn)火器芯片電阻器榮獲 EDN無(wú)源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎(jiǎng)
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會(huì)和頒獎(jiǎng)典禮上，其電點(diǎn)火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無(wú)源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對(duì)便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對(duì)針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評(píng)為年度最佳產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
2008-03-31
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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GA..系列：Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前，Vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)工作頻率。
2008-03-14
- 即插即用的6TOPS算力：慧為智能RK3588 SMARC核心板正式商用
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