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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟(jì)委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進(jìn)展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="slthmrj" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新應(yīng)用帶動IGBT革新
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應(yīng)用帶來新的課題，與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
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Diodes推出減少 IGBT 開關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動器
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護(hù)措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點。本文通過對IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護(hù)、過壓、過流、過熱四大有效的保護(hù)措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅(qū)動電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關(guān)橋式電路中，功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。驅(qū)動電路就是將控制電路輸出的PWM信號進(jìn)行功率放大，以滿足驅(qū)動IGBT的要求，所以，驅(qū)動電路設(shè)計的是否合理直接關(guān)系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅(qū)動電路設(shè)計的合理性，使用時必須分析驅(qū)動電路中的參數(shù)。
2011-06-29
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IGBT市場需求加大 供貨緊張持續(xù)到年底
隨著中國高鐵、地鐵、動車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動/混合動力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，市場對IGBT及其模塊的需求越來越大。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
2011-06-28
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英飛凌600V功率開關(guān)器件家族又添新丁
在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。
2011-06-01
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2014年IGBT銷售額將增一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
2011-04-18
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場效應(yīng)管在音響電路中的合理應(yīng)用
本文通過兩個容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點來說明場效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前，應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOsFET)，而后者又分為LDMOS、VMOS及近年出現(xiàn)的UHC、IGBT等，并且至今仍在不斷發(fā)展與完善之中。
2011-04-08
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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
2011-03-24
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