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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術解密
在第三代半導體（SiC/GaN）驅動的ns級開關場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產生＞38%電壓過沖，導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數(shù)據(jù)），嚴重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±1%精度要求的應用。本文提出基于矢量網絡分析儀（VNA）的頻響建模技術，通過精準量化寄生參數(shù)（Lp/Cp），并設計臨界阻尼RC補償網絡，將1MHz測量誤差壓縮至＜1%、過沖抑制＞90%，單方案成本＜$0.1，為高可靠性功率系統(tǒng)提供底層保障。
2025-07-01
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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
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離座秒鎖屏！意法半導體新推人體存在檢測技術守護PC智能設備隱私安全
意法半導體（STMicroelectronics）近日發(fā)布新一代人體存在檢測（HPD）技術，通過集成FlightSense?飛行時間（ToF）傳感器與AI算法，為筆記本電腦、PC及顯示設備帶來能效與安全性的雙重突破。該方案可降低設備日用電量超20%，同時強化隱私保護與信息安全。其核心功能包括：基于頭部姿態(tài)識別的智能屏幕亮度調節(jié)、用戶離席自動鎖屏與返座喚醒，以及多人圍觀時的隱私警報。結合Windows Hello生物識別技術，用戶無需手動操作即可完成設備交互，體驗全面升級。
2025-06-26
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安森美SiC技術賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數(shù)級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網接入到芯片供電的完整能效優(yōu)化路徑。
2025-06-25
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當?shù)目刂苹芈房赡軐е码娫凑袷?、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關重要。
2025-06-25
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破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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戰(zhàn)略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應用領域領導者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動能。
2025-06-20
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業(yè)設備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-19
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高結溫IC設計避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應對策略
在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領域，高溫環(huán)境對集成電路的性能、可靠性和安全性構成嚴峻挑戰(zhàn)。隨著應用場景向極端溫度條件延伸，高結溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問題日益凸顯，亟需通過創(chuàng)新設計技術突破技術瓶頸。本文將解析高溫對集成電路的深層影響，揭示高結溫帶來的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對性的高功率設計解決方案。
2025-06-18
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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運行。Ionautics 成立于 2010 年，長期深耕于電離物理氣相沉積領域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
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安森美SiC Cascode技術：共源共柵結構深度解析
碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。
2025-06-12
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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