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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無(wú)線(xiàn)基站曾經(jīng)封裝在采用氣候控制技術(shù)的大型空間中，但現(xiàn)在卻可以裝在任意地方。隨著無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商試圖實(shí)現(xiàn)全域信號(hào)覆蓋，基站組件提供商面臨壓力，需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_(kāi)關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來(lái)的好處。最后，展示對(duì)使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓?fù)涞?.7kW單相PFC進(jìn)行封裝改進(jìn)后獲得的改善效果。
2021-02-03
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交錯(cuò)式反相電荷泵——第二部分：實(shí)現(xiàn)和結(jié)果
本系列文章的第一部分介紹了一種從正電源產(chǎn)生低噪聲負(fù)電源軌的獨(dú)特方法，并說(shuō)明了控制其運(yùn)行的方程式推導(dǎo)過(guò)程。第二部分將借助ADI公司新產(chǎn)品 ADP5600深入探討這種交錯(cuò)式反相電荷泵(IICP)的實(shí)際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進(jìn)行比較，以揭示交錯(cuò)如何改善低噪聲性能。我們還將其應(yīng)用于低噪聲相控陣波束成型電路，并使用第一部分中的公式來(lái)優(yōu)化該解決方案的性能。
2021-02-02
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如何減少SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗？
碳化硅（SiC）MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度，高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
2021-02-02
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貿(mào)澤電子新品推薦：2021年1月
2021年2月1日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶(hù)設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶(hù)提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2021-02-01
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什么是帶隙式溫度傳感器？
光子產(chǎn)業(yè)中存在著一種基礎(chǔ)材料——光子晶體（Photonic Crystals）。光子晶體是由具有不同介電常數(shù)（折射率）的材料按照某種空間有序排列的的其周期可與光波長(zhǎng)相比的人工微結(jié)構(gòu)。
2021-02-01
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，加速開(kāi)發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機(jī)構(gòu)) 成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室是內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)界首家同時(shí)聯(lián)合原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這種獨(dú)特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，從而更好地滿(mǎn)足用戶(hù)的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
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偏置電流源電路的對(duì)與錯(cuò)
下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結(jié)構(gòu)是對(duì)的？幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì)講這個(gè)例子，可是始終有人搞不清楚。
2021-01-25
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貿(mào)澤電子打造現(xiàn)代化智慧倉(cāng)儲(chǔ)，助力分銷(xiāo)升級(jí)
2021年1月20日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 以先進(jìn)的自動(dòng)化技術(shù)確保其不斷擴(kuò)張的全球配送中心高效運(yùn)轉(zhuǎn)，準(zhǔn)時(shí)無(wú)誤地將產(chǎn)品交到成千上萬(wàn)的全球客戶(hù)手上。
2021-01-20
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貿(mào)澤電子推出全新LoRaWAN技術(shù)資源網(wǎng)站
2021年1月18日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出了一個(gè)全新資源網(wǎng)站，專(zhuān)門(mén)用于介紹LoRaWAN?標(biāo)準(zhǔn)及其功能、應(yīng)用與相關(guān)產(chǎn)品。歡迎點(diǎn)擊https://resources.mouser.com/lora，即可訪(fǎng)問(wèn)這個(gè)全新的綜合性網(wǎng)站。
2021-01-18
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計(jì)算寬輸入電壓解決方案的價(jià)值
在設(shè)計(jì)電源時(shí)，設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)之一是如何處理瞬態(tài)電壓。保護(hù)電路不受高于集成電路(IC)額定輸入電壓（VIN）的電壓峰值破壞非常重要。在處理瞬態(tài)電壓時(shí)，設(shè)計(jì)人員可以選擇在系統(tǒng)前端使用輸入電壓范圍較寬的DC/DC轉(zhuǎn)換器保護(hù)所有瞬態(tài)電壓，或者使用輸入電壓較低的DC/DC轉(zhuǎn)換器再加上鉗位電路來(lái)提供瞬態(tài)電壓保護(hù)。
2021-01-18
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 貿(mào)澤電子自動(dòng)化資源中心上線(xiàn)：工程師必備技術(shù)寶庫(kù)
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