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電源管理

RACD03/06系列：RECOM推出新型LED恒流驅(qū)動器以減小功率消耗

隨著LED技術(shù)的不斷發(fā)展，單芯LED的流明數(shù)不斷的增加。從而使LED驅(qū)動器的功率不斷的減小。以前生產(chǎn)的驅(qū)動器的功率一般為12W、20W、30W及60W，而目前市場對3W至6W驅(qū)動器的需求卻有明顯的增長趨勢。RECOM新型驅(qū)動器（3W至6W）的輸入電壓范圍是90至264AC，可廣泛適用于世界各地。

2011-06-17

LED RECOM 驅(qū)動 RACD

Vishay推出新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出12個具有三種功率封裝的45V器件，這些器件具有10A～60A的寬電流等級，擴(kuò)充了其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。

2011-06-17

Vishay 整流器太陽能電池

熱敏電阻型浪涌抑制器在電源設(shè)計中的應(yīng)用及其選型

本文首先分析電子產(chǎn)品為什么會有開機(jī)浪涌，然后以典型的電源電路為例分析如何使用熱敏電阻抑制浪涌電流，最后介紹熱敏電阻在實際應(yīng)用中應(yīng)如何選型

2011-06-17

熱敏電阻浪涌抑制器電源

如何選用適當(dāng)?shù)腄C/DC電源模塊

系統(tǒng)運(yùn)行中電源對系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響極大，質(zhì)量穩(wěn)定性不佳的電源模塊，不但會造成系統(tǒng)運(yùn)作不穩(wěn)定，嚴(yán)重將會造成組件損壞，選擇適用良好的電源模塊，將是一個非常重要的課題。

2011-06-16

DC/DC 電源模塊參數(shù)

PQFN2x2系列:IR推出新款超小型功率MOSFET用于便攜設(shè)備

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型...

2011-06-16

PQFN2x2系列 IR 功率MOSFET MOSFET

ST推出抗輻射功率MOSFET產(chǎn)品用于航天電子系統(tǒng)

隨著全球?qū)πl(wèi)星通信、衛(wèi)星電視、衛(wèi)星天氣預(yù)報及衛(wèi)星地理數(shù)據(jù)的需求不斷升溫，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出首款完全符合衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。

2011-06-16

MOSFET ST 意法半導(dǎo)體航天電子

博世將于2013年以后在歐州設(shè)立鋰離子電池工廠

德國博世2011年6月9日向新聞媒體介紹了今后的開發(fā)戰(zhàn)略。該公司與韓國三星SDI的合資公司SB LiMotive計劃2013年以后在歐洲設(shè)立鋰離子充電電池單元的生產(chǎn)工廠。博世同時還宣布，計劃使韓國蔚山SB LiMotive工廠的鋰離子充電電池單元的產(chǎn)量在2015年之前年均增長4GWh。

2011-06-16

博世鋰離子電池三星

LT3593：凌力爾特推出高效恒流白光LED驅(qū)動器

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出采用 2mm x 2mm DFN (或 ThinSOTTM) 封裝的高效率恒定電流白光 LED 驅(qū)動器 LT3593。

2011-06-15

白光LED LED驅(qū)動器 LT3593 凌力爾特

FDMS36xxS:飛兆推出非對稱雙MOSFET器件用于筆記本電腦

電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。

2011-06-15

MOSFET 飛兆功率級非對稱雙MOSFET器件 FDMS36xxS系列