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電源管理

一個簡單的無變壓器1．5V DC電源電路

本文介紹了一個簡單的無變壓器 1.5V DC電源電路，可用于直接從市電為掛鐘供電，并且還可以保持備用電池充滿電，即使在市電故障期間也能實現(xiàn)時鐘的不間斷運行。

2023-07-22

無變壓器 DC電源電路

工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧

NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和...

2023-07-21

柵極驅動器設計技巧

如何高效完成大電流單通道柵極驅動器電路設計？

NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護和軟關斷(ST...

2023-07-21

柵極驅動器電路設計

使用高壓電池的電動汽車安全性如何？

如今，電動汽車上使用的高壓電池都提供了最大的安全性和使用壽命。如果您還在因為擔心電池的安全性而猶豫是否將燃油動力汽車換成電動汽車 (EV)，那就盡管放心！據(jù)多家媒體的報道，很多人都非常關注電動汽車及其高壓電池的危險性。其實高壓電池在正常的操作條件下使用是非常安全的，出現(xiàn)的問題也相對...

2023-07-20

高壓電池電動汽車安全電池

深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。

2023-07-20

IGBT 柵極驅動注意事項

VCC（電源）和 GND（地）之間電容的作用

電源與地之間接電容的原因有兩個作用，儲能和旁路儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源電壓會被拉低，產(chǎn)生噪聲，振鈴，嚴重會導致 CPU 重啟，這時候大容量的電容可以暫時把儲存的電能釋放出來，穩(wěn)定電源電壓，就像河流和水庫的關系旁路：電路電流很多時候有...

2023-07-19

VCC GND 電容

具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術

碳化硅（SiC）技術具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的S...

2023-07-19

碳化硅發(fā)展趨勢儲能系統(tǒng)

PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量

由于該電路是進行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設置。

2023-07-18

PFC電路死區(qū)時間理想值

了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...

2023-07-18

工作原理 IGBT

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