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Digi-Key全球分銷(xiāo)Mag Layers USA的MMD系列模制功率電感器
Digi-Key Electronics宣布擴(kuò)大其功率電感器產(chǎn)品組合，即日起，在全球分銷(xiāo) Mag Layers USA 的 MMD 系列模制功率電感器，Mag Layers USA 的產(chǎn)品面向各種消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)客戶(hù)。此次合作是 Digi-Key Marketplace 全球拓展計(jì)劃的一部分，將擴(kuò)大現(xiàn)可為客戶(hù)提供的產(chǎn)品范圍，讓 Digi-Key 的一站式商...
2020-11-19
Digi-Key Mag Layers USA 模制功率電感器
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什么是低壓降穩(wěn)壓器(LDO)的壓降？ - 第五部分
本文章繼續(xù)此系列，將聚焦“低壓降”的含義，并介紹安森美半導(dǎo)體低壓降和極低壓降值的LDO產(chǎn)品和方案。您的應(yīng)用需要低壓降的LDO嗎？我們將講解壓降的含義，如何測(cè)量以及具有標(biāo)準(zhǔn)壓降和極低壓降的LDO之間的差異。
2020-11-19
低壓降穩(wěn)壓器 LDO
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電容耦合放電可以作為射頻系統(tǒng)的可調(diào)阻抗元件？
當(dāng)前和未來(lái)的通信必須處理日益擁擠的電磁頻譜，如果某個(gè)頻率或整個(gè)頻帶被占用，在頻譜中找到一個(gè)“打開(kāi)的窗口”是至關(guān)重要的。為此，下一代射頻系統(tǒng)應(yīng)該能夠快速重新配置或頻率捷變，即能夠根據(jù)需要快速改變載波頻率?？勺儫o(wú)源電抗元件是可重構(gòu)射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:可調(diào)電容和電感廣泛用于調(diào)諧諧振頻率...
2020-11-18
電容耦合放電 射頻系統(tǒng) 可調(diào)阻抗元件
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一文教你理清開(kāi)關(guān)電源的電壓和電流控制模式
控制電路就是保證在負(fù)載波動(dòng)的條件下輸出的穩(wěn)定。在選擇開(kāi)關(guān)電源控制方案時(shí)，控制模式主要分兩種：一種是監(jiān)測(cè)輸出電壓的大小，調(diào)節(jié)PWM占空比，保證輸出電壓的穩(wěn)定，即電壓控制模式。另一種同時(shí)監(jiān)測(cè)電壓和電流，調(diào)節(jié)PWM占空比，保證輸出電壓的穩(wěn)定和電流在正常范圍內(nèi)，不至于過(guò)流，即電流控制模式。...
2020-11-17
開(kāi)關(guān)電源 電壓控制模式 電流控制模式
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什么是PSRR？
之前在文章《什么是積分噪聲？》中，我們談到了積分噪聲及其意義。今天，我們將重點(diǎn)談?wù)劦蛪航捣€(wěn)壓器 (LDO) 參數(shù)和電源抑制比 (PSRR) 特性，以及它如何受到應(yīng)用的條件影響。
2020-11-17
PSRR LDO
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采用2MHz單芯片降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和LED驅(qū)動(dòng)器消除PCB空間受限的困擾
隨著電子設(shè)備尺寸不斷縮小，它們的內(nèi)部電路必須同步縮小。產(chǎn)品小型化成為各行各業(yè)的顯著發(fā)展趨勢(shì)，這為工程師在空間受限的設(shè)計(jì)中完成合適的解決方案帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)難題。
2020-11-17
DC-DC轉(zhuǎn)換器 LED驅(qū)動(dòng)器 PCB
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什么是積分噪聲？
在《什么是 LDO 噪聲？第一部分》中，我們談到了什么是噪聲、如何分類(lèi)，并介紹了安森美半導(dǎo)體提供的超低噪聲低壓降穩(wěn)壓器。今天，我們將進(jìn)一步詳細(xì)談?wù)勈裁词欠e分噪聲。
2020-11-17
積分噪聲 NCP110 LDO穩(wěn)壓器
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高功率電源應(yīng)用中需要怎樣的隔離驅(qū)動(dòng)？
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù)微控制器輸出并沒(méi)有針對(duì)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化，如足夠的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)保護(hù)功能等，而且直接用微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)，會(huì)導(dǎo)致功耗過(guò)大等弊端。
2020-11-16
高功率電源應(yīng)用 隔離驅(qū)動(dòng)
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半導(dǎo)體發(fā)展歷程及MOSFET的工作原理
1958年，德州儀器公司用兩個(gè)晶體管制造了第一個(gè)集成電路觸發(fā)器。今天的芯片包含超過(guò)10億個(gè)晶體管。曾經(jīng)可以支撐整個(gè)公司會(huì)計(jì)系統(tǒng)的記憶，現(xiàn)在變成了一個(gè)十幾歲的年輕人在智能手機(jī)里攜帶的內(nèi)存。這種規(guī)模的增長(zhǎng)源于晶體管數(shù)量的不斷擴(kuò)大和硅制造工藝的改進(jìn)。
2020-11-16
半導(dǎo)體 發(fā)展歷程 MOSFET 工作原理
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