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CCM與DCM的區(qū)別
反激變換器常用于進(jìn)行AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式電源，尤其是中低功率范圍（約2W至100W）的電源。在這個(gè)功率范圍內(nèi)，反激變換器在尺寸、成本和效率比方面都極具競(jìng)爭(zhēng)力。 反激變換器的工作基于耦合電感器，該電感器除了幫助實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換，還可以在變換器的輸入和輸出之間提供隔離功能。除此之外，它...
2021-09-09
CCM DCM 反激變換器
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TM1810-3， TM1810-2 LED恒流驅(qū)動(dòng)IC
在 使用BH1750測(cè)量激光發(fā)射器的強(qiáng)度[1] 文章后面的留言中，aytc100給出了內(nèi)部限流保護(hù)芯片可能是TM1810之類的。并給出了相應(yīng)的 TM1810資料鏈接 。考慮到后面可能需要進(jìn)行相應(yīng)的激光管的實(shí)驗(yàn)，所以從 TMALL購買TM1810-2,TM1810-3 以備后面進(jìn)行測(cè)試使用。
2021-09-08
TM1810-3 LED 恒流驅(qū)動(dòng)IC
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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-09-08
晶閘管 參數(shù)解析 開關(guān)特性
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新興汽車開關(guān)應(yīng)用
自動(dòng)駕駛汽車人工智能的發(fā)展正逐漸改變?nèi)藗兊鸟{乘體驗(yàn)。全自動(dòng)駕駛車輛將為汽車駕駛艙帶來徹底的變革。實(shí)際上，我們已經(jīng)看到具備半自動(dòng)駕駛功能的汽車的出現(xiàn)。功能性和舒適性是推動(dòng)汽車內(nèi)部變化的主要因素。考慮到車輛內(nèi)的功能越來越多，對(duì)于聯(lián)系駕駛員和駕駛艙新環(huán)境之間的用戶界面，設(shè)計(jì)師和工程...
2021-09-08
汽車開關(guān) 應(yīng)用
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺(tái)，分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動(dòng)節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個(gè)全新內(nèi)容平臺(tái)，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護(hù)設(shè)備領(lǐng)域處于...
2021-09-07
貿(mào)澤 安森美 BLDC電機(jī)控制
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在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導(dǎo)通電阻 溫度變化
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負(fù)壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對(duì)高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負(fù)壓脈 5G通信 電源效率
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開關(guān)電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡(jiǎn)稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都...
2021-09-07
開關(guān)電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！
2021-09-07
MOSFET 炸機(jī) 開關(guān)電源
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