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電源管理

IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配

本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。

2008-10-23

IGBT 半導(dǎo)體開關(guān) 外殼

變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景展望

本文講了變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展概況，變頻調(diào)速技術(shù)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀以及變頻調(diào)速未來的發(fā)展方向。

2008-10-23

變頻調(diào)速現(xiàn)狀發(fā)展變頻器

變頻技術(shù)在設(shè)備改造中的應(yīng)用

本文主要講了SGZ1000-N 型三足式全自動(dòng)下部卸料離心機(jī)的改造，采用變頻器對(duì)離心機(jī)的電動(dòng)機(jī)進(jìn)行控制。

2008-10-23

變頻器調(diào)速輸出頻率

高壓大功率變頻器在長(zhǎng)輸管道上的應(yīng)用

高壓大功率的大型變頻器在長(zhǎng)輸管道輸油生產(chǎn)過程中應(yīng)用可以節(jié)省電力，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，本文介紹了秦京線的應(yīng)用實(shí)例。

2008-10-23

變頻器長(zhǎng)輸管道節(jié)能

高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題

本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題，包括：隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長(zhǎng)期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問題。

2008-10-23

隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流隔離電流接觸區(qū)

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

廣交會(huì)機(jī)電產(chǎn)品成交降13% 歐美客戶狠壓價(jià)

機(jī)電歡喜紡織愁的出口走勢(shì)悄然變化，中國(guó)外貿(mào)額中占到半壁的機(jī)電產(chǎn)品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會(huì)昨日對(duì)外公布第104屆一期情況，機(jī)電產(chǎn)品成交不容樂觀。廣交會(huì)昨日公布的數(shù)據(jù)顯示，本屆廣交會(huì)第一期到會(huì)境外采購(gòu)商共87305人，出口累計(jì)成交164.5億美元，其中機(jī)電產(chǎn)品139.2億美元，...

2008-10-22

機(jī)電

西門子變頻器參數(shù)設(shè)置的探討

本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇，快速調(diào)試，加減速時(shí)間調(diào)整，以及轉(zhuǎn)動(dòng)慣量設(shè)置。

2008-10-22

變頻器控制方式快速調(diào)試加減速時(shí)間轉(zhuǎn)動(dòng)慣量

用于軟起動(dòng)器的晶閘管模塊SEMiSTART

本文介紹了電機(jī)起動(dòng)控制的三種方式，軟起動(dòng)器對(duì)晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術(shù)以及SEMiSTAT模塊的技術(shù)指標(biāo)。

2008-10-22

電機(jī) 晶閘管裝配 SEMiSTAT模塊

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