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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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消息稱(chēng)電腦下鄉(xiāng)補(bǔ)貼政策最快09年初公布
近日，一位參與“家電下鄉(xiāng)”政策制訂的專(zhuān)家向新浪科技獨(dú)家透露，家電下鄉(xiāng)的產(chǎn)品類(lèi)別涵蓋電腦已經(jīng)板上釘釘，有望最早于2009年年初，最晚2009年中對(duì)外公布。
2008-12-03
冰箱 彩電 手機(jī) 電腦
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微特電機(jī)：林泉電機(jī)投資2億元生產(chǎn)基地奠基
11月30日，貴州航天林泉電機(jī)有限公司貴州研發(fā)生產(chǎn)基地在高新區(qū)開(kāi)工奠基。
2008-12-03
電機(jī) 微特電機(jī)
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淺談固態(tài)繼電器的正確使用
固態(tài)繼電器相比傳統(tǒng)電磁繼電器具有更小、更輕的特點(diǎn)，并且它還可以采用表貼安裝生產(chǎn)。而且僅就可靠性而言，固態(tài)繼電器在工作壽命方面提供了巨大的改善機(jī)會(huì)，加上其他內(nèi)在的優(yōu)點(diǎn)，使得這種器件成為愈來(lái)愈多應(yīng)用的首選。兩種類(lèi)型的繼電器的特性和設(shè)計(jì)也不相同。過(guò)去采用電磁繼電器的設(shè)計(jì)師將會(huì)發(fā)現(xiàn)固...
2008-12-02
固態(tài)繼電器 電磁繼電器 可控硅開(kāi)關(guān) 漏電流
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μPA2745/2749：NEC電子最新PC用功率MOSFET
NEC電子日前推出2款適用于電腦中DC/DC轉(zhuǎn)換器用的功率MOSFET產(chǎn)品，并以“μPA2745”、“μPA2749”的品名于即日起提供樣品。作為該系列的擴(kuò)充產(chǎn)品，該2款產(chǎn)品成功將電力損耗最低降低3%。
2008-12-02
μPA2749 μPA2745 電腦應(yīng)用 MOSFET
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中芯MEMS出師不利 恩智浦訂單緊急喊停
10月底宣布跨足微機(jī)電(MEMS)晶圓代工的中芯國(guó)際出師不利，MEMS設(shè)備商指出，由于大客戶(hù)恩智浦(NXP)原計(jì)劃在中芯投產(chǎn)MEMS麥克風(fēng)，卻因當(dāng)前景氣不明而緊急喊煞車(chē)，這對(duì)于整體MEMS晶圓代工市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑再度投下一個(gè)充滿變量的震撼彈。不過(guò)，中芯對(duì)此并未予以回應(yīng)。
2008-12-02
晶圓代工 麥克風(fēng) MEMS 微機(jī)電
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科博萊在我國(guó)建亞洲首座汽車(chē)電子工廠
意大利科博萊汽車(chē)技術(shù)有限公司準(zhǔn)備在華興建其在亞洲首座生產(chǎn)廠，將生產(chǎn)汽車(chē)電子安全系統(tǒng)，包括防盜與泊車(chē)輔助系統(tǒng)。新廠及一座研發(fā)中心在2010年投產(chǎn)后，該廠的防盜與泊車(chē)輔助系統(tǒng)總產(chǎn)能將達(dá)到300萬(wàn)個(gè)。
2008-12-01
汽車(chē)電子 安全系統(tǒng) 防盜 泊車(chē)輔助系統(tǒng)
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門(mén)子半導(dǎo)體集團(tuán)公開(kāi)上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來(lái)自英飛凌德國(guó)總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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FDMA1027/2P853：飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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