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電源管理

AOS推出11款500伏設(shè)備應(yīng)用MOSFET

AOS宣布發(fā)行11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標(biāo)志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和熒光燈照明應(yīng)用等的一系列交直流電源和適配器上，新型500伏設(shè)備均有用武之地。、

2009-01-21

MOSFET 高壓電源開關(guān)損耗

合理選擇電容器來實現(xiàn)高性能的EMI濾波

電容是解決EMI問題最常用的元件，要為不同的應(yīng)用選擇合適的濾波電容，寄生參數(shù)是非常重要的考慮因素。本文介紹了多層陶瓷電容器(MLCC)、引腳電容器、穿心電容器寄生參數(shù)的計算方法，對工程師選擇EMI濾波電容具有指導(dǎo)意義。

2009-01-21

旁路電容去耦電容噪聲電磁干擾寄生參數(shù) 工藝射頻電路 MLCC 插入損耗阻抗

Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。

2009-01-21

Si8422DB MICRO FOOT TrenchFET MOSFET 便攜設(shè)備

FPF202x：飛兆半導(dǎo)體最低靜態(tài)電流的IntelliMAX負(fù)載開關(guān)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為生物測定傳感器模塊的設(shè)計人員帶來了具有業(yè)界最低靜態(tài)電流的先進(jìn)負(fù)載開關(guān)。FPF2024、FPF2025、FPF2026 和FPF2027是 IntelliMAX先進(jìn)負(fù)載開關(guān)系列的產(chǎn)品，可將靜態(tài)電流降至最低，并延長電池壽命。

2009-01-20

傳感器負(fù)載開關(guān) IntelliMAX FPF2024 FPF2025 FPF2026 FPF2027

中國汽車電子行業(yè)潛力大新能源車與農(nóng)村市場受關(guān)注

我國汽車電子的行業(yè)特點是：自主企業(yè)與國際汽車電子技術(shù)差距拉大；汽車電子行業(yè)區(qū)域集中化加強；進(jìn)軍汽車電子是家電企業(yè)的新機遇；汽車電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)亟待出臺；汽車電子產(chǎn)品占整車價值比例提高；汽車電子產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能交通；新能源車促進(jìn)汽車電子行業(yè)發(fā)展；農(nóng)村市場值得汽車電子企業(yè)重視。

2009-01-15

汽車電子新能源車電控裝置

3G牌照發(fā)放將拉動2萬億社會投資

1月7日，我國三大電信運營商分獲三種制式3G牌照。3G啟動將拉動國內(nèi)需求、促進(jìn)經(jīng)濟平穩(wěn)較快發(fā)展，并將整個中國通信產(chǎn)業(yè)帶入一個新時代

2009-01-14

3G TD-SCDMA CDMA2000 WCDMA 無線通訊內(nèi)需

08年國內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%

國內(nèi)20多個省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點，規(guī)劃或計劃建設(shè)多晶硅項目，國內(nèi)對千噸級多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產(chǎn)能增長快，為國內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術(shù)留下緩沖時間。

2009-01-14

洛陽中硅新光硅業(yè) 江蘇中能東汽峨嵋多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能

機電產(chǎn)品出口退稅率上調(diào) 中小企業(yè)受益

2008年12月29日，財政部、國家稅務(wù)總局宣布從2009年1月1日起，提高部分技術(shù)含量和附加值高的機電產(chǎn)品出口退稅率。2008年我國已先后3次調(diào)高紡織、服裝、輕工和部分機電產(chǎn)品的出口退稅率，綜合退稅率上調(diào)1.6個百分點。此次出口退稅率的上調(diào)無疑給遭遇國際需求疲軟的家電企業(yè)更多支持和信心。但是，專...

2009-01-14

機電產(chǎn)品退稅率金融危機

SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二極管的MOSFET

日前，Vishay宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

2009-01-09

SiA850DJ MOSFET 二極管轉(zhuǎn)化器便攜式設(shè)備