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iSuppli預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)2797億美元
據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2797億美元，雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%，但與2008年的2589億美元相比僅增長(zhǎng)8%，而與2007年的2734億美元相比，增長(zhǎng)率只有區(qū)區(qū)的2.3%。
2010-03-12
iSuppli 半導(dǎo)體 營(yíng)業(yè)收入 反彈
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從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)
在電子制作過(guò)程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對(duì)人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無(wú)鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無(wú)鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎(chǔ) 無(wú)鉛焊接 焊接工藝 技術(shù) 測(cè)試工作坊
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IP4284CZ10：恩智浦為USB 3.0和eSATA推出ESD保護(hù)設(shè)備
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布，為USB 3.0和eSATA之類(lèi)的高速差分接口推出一種新的ESD保護(hù)設(shè)備IP4284CZ10。IP4284CZ10提供了業(yè)內(nèi)最低的差分串?dāng)_及完美的線路到線路電容匹配和直通布線能力，優(yōu)化了信號(hào)完整性。
2010-03-11
IP4284CZ10 恩智浦為 USB 3.0 eSATA ESD保護(hù)設(shè)備
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。
2010-03-11
恩智浦 晶體管 SMD封裝 BISS-4
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FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103：飛兆半導(dǎo)體提供種類(lèi)最豐富的初級(jí)端調(diào)節(jié)PWM控制器系列
飛兆半導(dǎo)體公司業(yè)界領(lǐng)先的初級(jí)端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動(dòng)充電器、適配器及LED照明應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供了多種解決方案，以滿足能源之星(ENERGY STAR?) Level V等標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格的功率和穩(wěn)壓規(guī)范要求。
2010-03-11
FSEZ1307 FSEZ1317 FAN103 飛兆半導(dǎo)體 PWM控制器
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分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)
Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷(xiāo)售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。
2010-03-10
半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)
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聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)將劇增
In-Stat預(yù)計(jì)，2010年，在所有售出的數(shù)字電視中，大約40%將具備聯(lián)網(wǎng)功能。到2013年，全球使用中的這類(lèi)聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子設(shè)備將達(dá)5億臺(tái)。在2008年至2013年間，此類(lèi)產(chǎn)品的銷(xiāo)售額年均復(fù)合增長(zhǎng)率接近64%。
2010-03-10
聯(lián)網(wǎng) 消費(fèi)電子 市場(chǎng) 劇增
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136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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MMBD5004BRM：Diode推出四開(kāi)關(guān)二極管陣列
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開(kāi)關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。
2010-03-09
MMBD5004BRM Diode 二極管 開(kāi)關(guān) DAA調(diào)制解調(diào)器
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