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超聲波流量計(jì)方案在半導(dǎo)體工廠及生物制藥工廠中的應(yīng)用與實(shí)戰(zhàn)方案
超聲流量計(jì)的優(yōu)勢(shì)在于其非接觸式測(cè)量方法，適用于測(cè)量不易接觸和觀察的流體，以及適用于大管徑流量的測(cè)量。采用的時(shí)間差及多普勒工作原理，即使在含氣泡、固體顆粒等多相流液體復(fù)雜工況中表現(xiàn)出優(yōu)異的測(cè)量性能。下面將介紹超聲波流量計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景案例并提供相對(duì)應(yīng)的解決方案。
2025-03-04
超聲波流量計(jì) 半導(dǎo)體 生物制藥
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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車(chē)等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
2025-03-03
SiC SBD
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善用預(yù)偏置晶體管 省板省料！
預(yù)偏置晶體管是在制造過(guò)程中集成了偏置電阻的晶體管。這種設(shè)計(jì)具有成本效益，集成的元件節(jié)省了印刷電路板（pcb）的成本，并減少了物料清單（BOM）中的項(xiàng)目數(shù)量。一個(gè)典型的產(chǎn)品是 Diodes 的 DDTD113ZC-7-F NPN 晶體管，采用 SOT - 23 - 3 封裝，如圖 1 所示。這種預(yù)偏置晶體管包括一個(gè) 1 千歐的串聯(lián)...
2025-03-03
晶體管
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人形機(jī)器人中的電機(jī)控制
制造業(yè)和服務(wù)行業(yè)對(duì)更高自動(dòng)化水平的需求不斷增長(zhǎng)，推動(dòng)了人形機(jī)器人的開(kāi)發(fā)。人形機(jī)器人變得更加復(fù)雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對(duì)周?chē)h(huán)境的響應(yīng)時(shí)間（按毫秒計(jì)）縮短，從而能更好地模仿人類的動(dòng)作。圖 1 展示了人形機(jī)器人的典型電機(jī)和運(yùn)動(dòng)功能。
2025-03-03
人形機(jī)器人 電機(jī)控制
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利用定制DSP指令增強(qiáng)RISC－V RVV，推動(dòng)嵌入式應(yīng)用發(fā)展
人工智能、自動(dòng)駕駛汽車(chē)等技術(shù)正迅速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)定制可擴(kuò)展處理器的需求也隨之不斷攀升。RISC-V開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)指令集架構(gòu)（ISA）以其模塊化設(shè)計(jì)和協(xié)作社區(qū)，引領(lǐng)了處理器設(shè)計(jì)新潮流，助力實(shí)現(xiàn)技術(shù)愿景。相應(yīng)的，機(jī)器組件、URL、HTML和HTTP互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議等基礎(chǔ)構(gòu)件的標(biāo)準(zhǔn)也正隨著技術(shù)創(chuàng)新而加速發(fā)展。標(biāo)準(zhǔn)RIS...
2025-03-03
DSP RISC－V RVV 嵌入式應(yīng)用
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計(jì)算集成斬波放大器的ADC失調(diào)誤差和輸入阻抗
典型DPD應(yīng)用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)中集成的緩沖器和放大器通常是斬波型。有關(guān)這種斬波實(shí)現(xiàn)的例子，可參見(jiàn)AD7124-8 和AD7779數(shù)據(jù)手冊(cè)。需要這種斬波技術(shù)來(lái)最大程度地降低放大器的失調(diào)和閃爍噪聲(1/f )，因?yàn)榕c其他工藝(如雙極性工藝)相比，CMOS晶體管噪聲高，難以匹配。通過(guò)斬波，放大器的1/f和失調(diào)轉(zhuǎn)換到...
2025-02-27
斬波放大器 ADC 輸入阻抗
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如何在低功耗MCU上實(shí)現(xiàn)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)
人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）技術(shù)不僅正在快速發(fā)展，還逐漸被創(chuàng)新性地應(yīng)用于低功耗的微控制器（MCU）中，從而實(shí)現(xiàn)邊緣AI/ML解決方案。這些MCU是許多嵌入式系統(tǒng)不可或缺的一部分，憑借其成本效益、高能效以及可靠的性能，現(xiàn)在能夠支持AI/ML應(yīng)用。這種集成化在可穿戴電子產(chǎn)品、智能家居設(shè)備和工業(yè)...
2025-02-26
低功耗MCU 人工智能 機(jī)器學(xué)習(xí)
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PN連接二極管的設(shè)計(jì)
PN連接二極管由p區(qū)域和N區(qū)組成，該區(qū)域由耗盡區(qū)域分離，該區(qū)域存儲(chǔ)了電荷。上一個(gè)教程中描述的效果是實(shí)現(xiàn)的，而沒(méi)有將任何外部電壓應(yīng)用于實(shí)際的PN連接，從而導(dǎo)致連接處處于平衡狀態(tài)。
2025-02-26
PN連接二極管
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硅基功率開(kāi)關(guān)已經(jīng)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？
在開(kāi)關(guān)模式電源中使用GaN開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開(kāi)關(guān)模式電源中的未來(lái)前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？
2025-02-26
硅基功率開(kāi)關(guān) GaN開(kāi)關(guān)
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