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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢(shì)
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場(chǎng)合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場(chǎng)上呈現(xiàn)的趨勢(shì)。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢(shì)
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場(chǎng)合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場(chǎng)上呈現(xiàn)的趨勢(shì)。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢(shì)
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場(chǎng)合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場(chǎng)上呈現(xiàn)的趨勢(shì)。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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PCB高速信號(hào)完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號(hào)完整性問題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對(duì)的問題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號(hào)完整性問題的關(guān)鍵。傳輸線上信號(hào)的傳輸速度是有限的，信號(hào)線的布線長度產(chǎn)生的信號(hào)傳輸延時(shí)會(huì)對(duì)信號(hào)的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號(hào)的長度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號(hào) 信號(hào)完整性 阻抗匹配
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PCB高速信號(hào)完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號(hào)完整性問題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對(duì)的問題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號(hào)完整性問題的關(guān)鍵。傳輸線上信號(hào)的傳輸速度是有限的，信號(hào)線的布線長度產(chǎn)生的信號(hào)傳輸延時(shí)會(huì)對(duì)信號(hào)的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號(hào)的長度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號(hào) 信號(hào)完整性 阻抗匹配
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PCB高速信號(hào)完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號(hào)完整性問題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對(duì)的問題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號(hào)完整性問題的關(guān)鍵。傳輸線上信號(hào)的傳輸速度是有限的，信號(hào)線的布線長度產(chǎn)生的信號(hào)傳輸延時(shí)會(huì)對(duì)信號(hào)的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號(hào)的長度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號(hào) 信號(hào)完整性 阻抗匹配
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同步升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中MOSFET的選擇要素分析
在個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域，隨著為核心DC-DC轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步升壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向著1MHz-2MHz范圍轉(zhuǎn)移，MOSFET的損耗進(jìn)一步增加。如果考慮其它支配損耗機(jī)制的參數(shù)，如電源輸入電壓和門極電壓，就要處理更為復(fù)雜的現(xiàn)象，還會(huì)遇到可能造成損耗極大惡化并降低電源轉(zhuǎn)換效率(ξ)的二次效應(yīng)，及體二極管反向...
2012-02-22
同步升壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET 轉(zhuǎn)換器
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同步升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中MOSFET的選擇要素分析
在個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域，隨著為核心DC-DC轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步升壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向著1MHz-2MHz范圍轉(zhuǎn)移，MOSFET的損耗進(jìn)一步增加。如果考慮其它支配損耗機(jī)制的參數(shù)，如電源輸入電壓和門極電壓，就要處理更為復(fù)雜的現(xiàn)象，還會(huì)遇到可能造成損耗極大惡化并降低電源轉(zhuǎn)換效率(ξ)的二次效應(yīng)，及體二極管反向...
2012-02-22
同步升壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET 轉(zhuǎn)換器
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LCD事業(yè)持續(xù)虧損及OLED商機(jī)
近日，三星電子(Samsung Electronics)召開董事會(huì)，決定將LCD事業(yè)獨(dú)立出去(所謂的「分社化」)，成立暫名為Samsung Display新公司。DIGITIMES Research資深分析師兼副主任黃銘章分析，該事業(yè)分社化計(jì)劃預(yù)計(jì)在3月召開的三星電子股東會(huì)中予以確認(rèn)。待4月初三星電子LCD事業(yè)正式「分社化」后，下一步即是...
2012-02-22
LCD OLED 三星電子
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