隨著電子市場的發(fā)展,其前景是毋庸置疑的,而與之相輔相生的電子測量儀表儀器設(shè)備也得以廣泛應(yīng)用。就在LED驅(qū)動(dòng)、電源模塊測試、充電器生產(chǎn)及UPS生產(chǎn)等領(lǐng)域廣泛使用的直流電子負(fù)載而言,其已經(jīng)成為了這些領(lǐng)域必不可少的測試設(shè)備。
2012-10-31
電子負(fù)載 檢測設(shè)備 測試
隨著半導(dǎo)體工藝不斷地進(jìn)步,那些原本存在芯片中的大型存儲器會轉(zhuǎn)變成數(shù)十或數(shù)百個(gè)小型的存儲器陣列,并且散布在芯片中各個(gè)角落。針對這種類型的小型陣列,如果想要偵測出與速度相關(guān)的瑕疵以及固定邏輯(stuck-at)故障,其實(shí)并不是一件容易的事。
測試 小型 存儲器陣列
在發(fā)射(Tx)路徑上的相互調(diào)變失真是附加在高功率之中,它的特性很重要。由于在發(fā)射路徑上一般都沒有主動(dòng)組件存在,因此它的相互調(diào)變失真特性被稱為“被動(dòng)的相互調(diào)變失真(passive IMD;PIMD)”。當(dāng)設(shè)計(jì)一個(gè)無線通信電路時(shí),PIMD在每一個(gè)功能單元中的變化不大,所以,在研發(fā)階段就會先測量PIMD。
相互調(diào)變失真 測量方法
影響電阻或電阻率測試的主要因素有:環(huán)境溫濕度、測試電壓、測試時(shí)間、測試設(shè)備的泄漏以及外界干擾等。本文重點(diǎn)談?wù)勆鲜鑫宕笠蛩亍?/p>
影響 電阻 電阻率測試 主要因素
輸入失調(diào)電壓(VIO)是電壓比較器(以下簡稱比較器)一個(gè)重要的電性能參數(shù),GB/T 6798-1996中,將其定義為“使輸出電壓為規(guī)定值時(shí),兩輸入端間所加的直流補(bǔ)償電壓”。傳統(tǒng)測試設(shè)備大都采用“被測器件(DUT,Device Under Test)-輔助運(yùn)放”的測試模式。
VIO 開環(huán)測試電路
TI推出新型智能電表SoC,可使開發(fā)人員針對智能電子電表應(yīng)用簡化設(shè)計(jì)、提高彈性與降低系統(tǒng)成本。它結(jié)合3個(gè)獨(dú)立引擎的完全集成式解決方案,計(jì)量引擎可達(dá)到0.5%的電表等級準(zhǔn)確度,并支持單相或三相電表。
TI SoC 智能電表
在汽車、工業(yè)等領(lǐng)域,低功耗的設(shè)計(jì)已經(jīng)不能滿足市場的需求,高效的設(shè)計(jì)才能讓產(chǎn)品脫穎而出!但是過壓、過熱、系統(tǒng)老化、操作行為的問題層出不窮,怎樣考慮才能獲得高效的設(shè)計(jì)呢?在第十二屆高能效設(shè)計(jì)研討會上,TI專家?guī)淼腂MS解決方案,豐寶電子專家?guī)鞱XP最新的MCU解決方案在能源高效利用中的實(shí)...
高能效設(shè)計(jì) 研討會 新能源
液晶顯示器(LCD)在診斷型醫(yī)療中的應(yīng)用日益頻繁,盡管LCD監(jiān)視器與陰極射線管監(jiān)視器相比具有很多優(yōu)勢,但是(COG)技術(shù)是LCD設(shè)計(jì)的替代方法,在該技術(shù)中LCD驅(qū)動(dòng)器直接安裝在顯示玻璃上,可為醫(yī)療應(yīng)用提供成本和設(shè)計(jì)優(yōu)勢。
COG LCD 醫(yī)療
對于高性能的MOS器件而言,良好的界面對于提升MOS器件的遷移率非常重要,由于high-k/Ge的界面穩(wěn)定性較差,在界面處存在的大量的缺陷形成載流子的散射中心,阻礙了高遷移率的獲得,進(jìn)而嚴(yán)重影響器件的最終性能。本文講述了中國科學(xué)院微電子研究所在這一方面研究上的顯著進(jìn)展。
鍺基 MOS
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