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工程可靠性問(wèn)題
“可靠性”這個(gè)詞匯對(duì)于不同的人士來(lái)說(shuō)可能有著不同意義，但廣泛來(lái)講，底線(xiàn)往往在于成本?？煽啃阅軌驖M(mǎn)足人的期望，它可能基于廣告宣傳、技術(shù)規(guī)格或合同，也可能與工程師以外的很多人士息息相關(guān)。本文就這些問(wèn)題展開(kāi)討論，驗(yàn)證“可靠性”的重要地位。
2009-10-27
可靠性
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八種常用電容器的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)
電容器是電子設(shè)備中常用的電子元件,下面對(duì)幾種常用電容器的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)作以簡(jiǎn)要介紹,以供大家參考。
2009-10-27
電容器 薄膜電容器 電解電容器 獨(dú)石電容器
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國(guó)家將收緊多晶硅項(xiàng)目再融資
國(guó)家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長(zhǎng)陳斌10月15日表示，為了引導(dǎo)多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，避免產(chǎn)業(yè)過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)，促進(jìn)節(jié)能減排，國(guó)家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過(guò)剩的行業(yè)，將控制多晶硅項(xiàng)目的再融資。而最近，中國(guó)證監(jiān)會(huì)也向國(guó)家發(fā)改委移交了部分關(guān)于企業(yè)融資的審查權(quán)，以控制多晶硅等企業(yè)的再融資
2009-10-27
國(guó)家發(fā)改委 多晶硅 再融資
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振興規(guī)劃作用，推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)走出低谷
伴隨著“家電下鄉(xiāng)”，“汽車(chē)下鄉(xiāng)”、調(diào)整出口退稅稅率等政策相繼實(shí)施，振興規(guī)劃對(duì)電子信息產(chǎn)業(yè)的提振效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn)。賽迪顧問(wèn)研究數(shù)據(jù)顯示，從2009年4月起，電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行開(kāi)始出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，主營(yíng)收入降幅趨緩，并逐漸開(kāi)始走出低谷。
2009-10-27
電子信息 通信 元器件
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揚(yáng)智科技攜M7108系列在深圳成立中國(guó)大陸區(qū)總部
揚(yáng)智科技于深圳成立中國(guó)大陸區(qū)總部，力拓全新多媒體生活，深耕中國(guó)大陸市場(chǎng)，豐富消費(fèi)電子應(yīng)用。
2009-10-26
IC 揚(yáng)智科技 機(jī)頂盒 M7108系列
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電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析
本文先簡(jiǎn)單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過(guò)輸入電壓前饋加入電流模式的工作過(guò)程。也討論了電流模式在輸出輕載或無(wú)負(fù)載時(shí)，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補(bǔ)償后，系統(tǒng)會(huì)從電流...
2009-10-26
變換器 電流/電壓模式轉(zhuǎn)化
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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。開(kāi)關(guān)過(guò)程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過(guò)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。在跨越恒流區(qū)時(shí)，功率MOSFET漏極的電流和...
2009-10-26
MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)
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理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對(duì)應(yīng)的Qg，Qds和Qgs在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的影響?；谠诶硐霠顟B(tài)下，用工程簡(jiǎn)化方式計(jì)算出MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中不同階段的開(kāi)關(guān)損耗，并分析出Crss及相對(duì)應(yīng)的Qgd對(duì)于MOSFET管的開(kāi)關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后，論述了在實(shí)際狀態(tài)下，Coss對(duì)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程...
2009-10-26
米勒電容 開(kāi)關(guān)損耗 零電壓開(kāi)關(guān)
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路
功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來(lái)沒(méi)有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
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