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如何輕松優(yōu)化 AC／DC 轉(zhuǎn)換器以滿足各種EMC要求
AC/DC 電源設(shè)計(jì)人員面臨著持續(xù)的競爭壓力，在提高能效并滿足一系列全球電磁兼容性 (EMC) 要求的同時(shí)，還需要降低成本、減少設(shè)計(jì)時(shí)間和外形尺寸。轉(zhuǎn)換器還必須能夠在各種 AC（有時(shí)是 DC）輸入電壓下保持能效和性能，提供寬運(yùn)行溫度范圍，并通過輸出短路和過流保護(hù)確保設(shè)備和用戶安全。
2022-02-14
AC／DC 轉(zhuǎn)換器 EMC
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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)中柵極 源極間電壓
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更高、更快伴生更強(qiáng)要求，迎接DDR5內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試挑戰(zhàn)
世界正在經(jīng)歷一個(gè)前所未有的時(shí)代，數(shù)據(jù)呈爆發(fā)增長之勢(shì)，隨著新技術(shù)在更廣泛的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步加快。典型的實(shí)例包括：5G形式的下一代無線通信，領(lǐng)域不斷擴(kuò)展的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、加密貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)，甚至汽車等諸多領(lǐng)域。
2022-02-11
DDR5內(nèi)存
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第十屆中國（西部）電子信息博覽會(huì)西部電子信息十周年獻(xiàn)禮
2020年5月，中共中央、國務(wù)院推出《關(guān)于新時(shí)代推進(jìn)西部大開發(fā)形成新格局的指導(dǎo)意見》，這是西部大開發(fā)20周年之際，對(duì)西部大開發(fā)的又一次巨大利好。全球視野下，西部大開發(fā)迎來升級(jí)版。四川經(jīng)濟(jì)突飛猛進(jìn)。其裝備制造、航天科技等產(chǎn)業(yè)在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，也是全國重要的基礎(chǔ)電子裝備基地。
2022-02-11
化學(xué)工藝 中國（西部）電子信息博覽會(huì)
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如何快速有效地實(shí)施靈活的EV充電系統(tǒng)？
電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)依賴于公共服務(wù)站電動(dòng)汽車 (EV) 充電基礎(chǔ)設(shè)施的預(yù)期可用性，并且可以通過在用戶的住家和工作場(chǎng)所安裝合適的充電系統(tǒng)來加速發(fā)展。盡管核心設(shè)計(jì)要求基本一致，但每一種系統(tǒng)都有專門的要求，從通信平臺(tái)到合規(guī)性要求等因素的地區(qū)差異又讓這種情況更加復(fù)雜。
2022-02-09
電動(dòng)汽車 EV充電系統(tǒng)
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關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~
本文對(duì)模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對(duì)接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說明了各種器件對(duì)總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對(duì)不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對(duì)于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢(shì)。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構(gòu)
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官宣|入場(chǎng)必備！CITE2022觀眾登記全面開啟！
每屆CITE大膽創(chuàng)新精益求精的辦展宗旨給業(yè)界留下良好口碑，即使在疫情背景下，CITE 2021通過10 萬平米展示面積、1000+品牌參展、10 萬人次到場(chǎng)觀眾、首創(chuàng)展會(huì)直播等規(guī)模和形式，成為電子信息行業(yè)展會(huì)的風(fēng)向標(biāo)。
2022-02-06
展會(huì)
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如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢(shì)？
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現(xiàn)在已開始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
碳化硅
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什么是多級(jí)放大電路？
一般情況下，單個(gè)三極管構(gòu)成的放大電路的放大倍數(shù)是有限的，只有幾十倍，這就很難滿足我們的實(shí)際需要，在實(shí)際的應(yīng)用中，一般是使用多級(jí)放大電路。
2022-01-27
多級(jí)放大電路
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