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AI&IoT

功耗成本降至28nm的一半首款I(lǐng)ntel工藝22nm FPGA誕生

當(dāng)Xilinx與Altera正在28nm節(jié)點(diǎn)相戰(zhàn)甚酣的時(shí)候，Achronix從半路殺出，宣布其首款22nm技術(shù)工藝 FPGA問世。在得到Intel最先進(jìn)的22nm工藝生產(chǎn)線的首次開放代工之后， Achronix的Speedster22i 帶來了震撼性的驚喜：新22nmFPGA器件的功耗和成本只有28nm高端FPGA的一半。

2012-04-25

22nm FPGA Achronix Speedster22i

2012深圳電子展上的企業(yè)代表團(tuán)

2012-04-25

電子展

智駕云系天緣參展2012年香港電子展

2012-04-25

電子展

HEXFET系列：IR推出采用TSOP-6封裝的MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。

2012-04-25

HEXFET系列 IR MOSFET

華冠半導(dǎo)體最新RS-485接口芯片替代MAX3085E且局部優(yōu)化

廣東華冠半導(dǎo)體有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體器件的研發(fā)，封裝、測(cè)試　和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。在79屆中國（深圳）電子展上，電子元件技術(shù)網(wǎng)記者采訪了華冠半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳小平，陳小平介紹了華冠最新推出的可替代MAX3085E的RS-485接口IC HG3085E的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)。

2012-04-25

華冠半導(dǎo)體 RS-485接口芯片 MAX3085E

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（下）

在《如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）》中，我們討論了電流快速變化時(shí)一些負(fù)載的電容旁路要求。我們發(fā)現(xiàn)必須讓低等效串聯(lián)電感（ESL）電容器靠近負(fù)載，因?yàn)椴坏?.5 nH便可產(chǎn)生不可接受的電壓劇增。實(shí)際上，要達(dá)到這種低電感，要求在處理器封裝中放置多個(gè)旁路電容器和多個(gè)互連針腳。本文中，我們將討論...

2012-04-25

di/dt 負(fù)載瞬態(tài)

UCC2751x：德州儀器推出緊湊型高速單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開關(guān)損耗。

2012-04-25

UCC2751x 德州儀器驅(qū)動(dòng)器