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ATE引腳電子器件的電平設(shè)置DAC校準(zhǔn)
本文提供一種校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的方法，專用于引腳電子器件驅(qū)動器、比較器、負(fù)載、PMU和DPS。DAC具有差分非線性(DNL)和積分非線性(INL)等非線性特性，我們可以通過增益和偏置調(diào)整來盡可能降低這些特性。本文描述如何執(zhí)行這些校準(zhǔn)，以改善電平設(shè)置性能。
2022-06-28
ATE 引腳電子器件 DAC
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在IC電源管理這個(gè)新領(lǐng)域，有哪些物聯(lián)網(wǎng)最佳應(yīng)用？
本文探討物聯(lián)網(wǎng)(IoT)電池技術(shù)。將描述設(shè)計(jì)人員面臨的一些電源問題，以及ADI公司提供的解決方案。這些解決方案非常高效，可以幫助克服物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。
2022-06-28
IC 電源管理 物聯(lián)網(wǎng)
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英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。
2022-06-27
英飛凌 USB-PD 方案
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TP8312滿足0.9V低電壓工作的一節(jié)兩節(jié)干電池升壓IC解決方案
干電池是一種利用糊狀電解質(zhì)產(chǎn)生直流電的化學(xué)電池(濕電池是一種利用液體電解質(zhì)的化學(xué)電池)，屬于一次電池，在日常生活中應(yīng)用廣泛，便于攜帶。隨著便攜式AV設(shè)備及IT設(shè)備的普及,干電池已成為一種應(yīng)用非常廣泛的可移動能源。正常一節(jié)干電池的電壓最高1.6V左右，放電到最低0.9V終止放電；兩節(jié)干電池串聯(lián)...
2022-06-22
TP8312 同步升壓IC 解決方案
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IPOSIM的今昔——從器件級的計(jì)算到基于系統(tǒng)的仿真
選擇合適的功率半導(dǎo)體器件是功率電路設(shè)計(jì)的核心，需要通過計(jì)算獲得器件的損耗、系統(tǒng)溫度，有時(shí)還需要估算器件的壽命。這是個(gè)系統(tǒng)工程，一般需要專業(yè)團(tuán)隊(duì)和多種仿真軟件實(shí)現(xiàn)。這對于大多數(shù)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的項(xiàng)目很難實(shí)現(xiàn)，為此英飛凌25年前就提供的基于器件的損耗和溫度計(jì)算工具IPOSIM，這一平臺發(fā)展到今...
2022-06-22
IPOSIM 英飛凌 電路設(shè)計(jì)
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IPD芯片出貨量超10億顆，芯和半導(dǎo)體亮相IMS2022
國內(nèi)EDA、IPD行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)芯和半導(dǎo)體于正在美國丹佛舉行的2022年IMS展會上宣布，其IPD芯片累計(jì)出貨量已首超10億顆。
2022-06-21
IPD芯片 出貨量 芯和半導(dǎo)體
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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實(shí)創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個(gè)月以來，獲得產(chǎn)業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過 50 張認(rèn)證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構(gòu)的 Ampere? Altra? 處理器的服務(wù)器獲得 SystemReady SR 認(rèn)證，成為首個(gè)獲得認(rèn)證的云服務(wù)提供商服務(wù)器，其搭載Arm架構(gòu)的Ampere Altra 處理器的Azure虛...
2022-06-21
Arm SystemReady 數(shù)據(jù)中心
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MEMS壓力傳感器解決人機(jī)界面新痛點(diǎn)
2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收購 NextInput 公司，作為其傳感器融合產(chǎn)品線的首次收購，Qorvo 對于 NextInput 在改善人機(jī)交互（HMI）市場的創(chuàng)新給予了厚望。同時(shí)，也意味著 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也擁有了 MEMS 壓力傳感器的技術(shù)積累。
2022-06-21
MEMS 壓力傳感器 人機(jī)界面
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
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