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能源電力

高端電流檢測電路及原理

本文講述高、低端電流檢測電路及原理，選擇檢流電阻的注意事項等問題

2011-03-11

電流檢測 MAXIM MAX4198

SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該...

2011-03-10

SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET

中國光伏產(chǎn)業(yè)：從世界工廠轉(zhuǎn)向世界市場

此前公布的“十二五”規(guī)劃建議提出，中國將推動能源生產(chǎn)和利用方式變革，構(gòu)建安全、穩(wěn)定、經(jīng)濟、清潔的現(xiàn)代能源體系。業(yè)內(nèi)預(yù)計，未來5年，中國光伏產(chǎn)業(yè)將迎來更加寬松的政策環(huán)境，其光伏產(chǎn)業(yè)“世界工廠”的角色將逐步向“世界市場”轉(zhuǎn)變。

2011-03-10

光伏中國光伏產(chǎn)業(yè) 中國光伏

預(yù)期到2013年全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)值將上看240億美元

據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所亞洲資訊咨詢（上海）研究副理黃盼盼指出，2010年全球半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)值達100億美元，年增達42%，預(yù)期到2013年全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)值將上看240億美元，從2010年到2013年產(chǎn)值平均年成長率估達35%。主要系受到照明應(yīng)用及中大尺吋背光源應(yīng)用同步推升，也因此（應(yīng)用于照明和大大尺寸背...

2011-03-10

半導(dǎo)體照明 LED

板載電源模塊—開放式與封閉式的選擇

目前,分布式電源架構(gòu)被廣泛用于通信和計算設(shè)備中,該電源架構(gòu)經(jīng)常采用板載電源(BMP)模塊,在盡可能靠近負載點的地方進行電源變換。多年來,器件、電路和封裝方面的發(fā)展使得BMP模塊效率更高、尺寸更小、重量更輕、厚度更薄。這些都導(dǎo)致電源密度的提高,進而為封裝技術(shù)帶來挑戰(zhàn)。

2011-03-09

電源模塊板載開放式封閉式

國內(nèi)光伏產(chǎn)能過剩隱憂將縈繞全年

因2010年下半年以來的光伏擴產(chǎn)浪潮席卷全球，不少國內(nèi)光伏企業(yè)對于今年全年的光伏市場增速和需求深表擔(dān)憂。

2011-03-09

光伏光伏產(chǎn)能光伏市場

意法半導(dǎo)體發(fā)布模塊化智能電表解決方案

隨著全球家用和商用智能電表裝機數(shù)量激增，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款電能表芯片組，為電能表行業(yè)研制下一代智能電表提供最精確、最具成本效益的解決方案。

2011-03-09

意法 st 智能電表

2011-2012年是LED照明產(chǎn)業(yè)的投資時機

我們認為LED照明的大規(guī)模替代將在2011年底、2012年初啟動，2011-2012年將是對LED照明產(chǎn)業(yè)的重要投資時點。目前傳統(tǒng)照明包括熒光燈、白熾燈、鹵素?zé)?、HID，各占一般照明營收的36%、23%、16%、13%。隨著白熾燈在各國的禁用，熒光燈對白熾燈的替代、LED燈對白熾燈和熒光燈的替代將會是同步進行的。

2011-03-09

LED照明投資白光封裝

防雷器在電源系統(tǒng)中的應(yīng)用

雷電及其它強干擾對電子信息系統(tǒng)的致?lián)p及由此引起的后果是嚴重的，雷電防護將成為必需。事實上，雷電防護是除雷電之外，也是其它諸如開關(guān)操作脈沖、靜電放電等電磁強干擾防護的共同要求。本文敘述防雷器的原理、選用及安裝方法...

2011-03-09

防雷器電源設(shè)計

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