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能源電力

如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題

目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。

2013-01-10

可控硅過載

詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護(hù)元件的區(qū)別

對(duì)于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護(hù)以及維修都是一個(gè)比較復(fù)雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護(hù)解決方案設(shè)計(jì)更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護(hù)元器件入手，對(duì)比傳統(tǒng)過流過壓保護(hù)元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護(hù)元件的區(qū)別及其應(yīng)用限制...

2013-01-10

TBU 保護(hù)元件 TPS

ESD的保護(hù)方法

ESD保護(hù)元件的對(duì)比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。

2013-01-10

ESD 保護(hù) TLP

詳解開關(guān)電源嘯叫的原因

測(cè)試開關(guān)電源或在實(shí)驗(yàn)中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時(shí)有時(shí)無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。

2013-01-10

開關(guān)電源嘯叫大電流

詳解貼片鉭電容的頻率特性

貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。

2013-01-10

貼片鉭電容頻率特性能量損耗

三星與Synopsys攜手，14納米FinFET流片首次成功實(shí)現(xiàn)

FinFET晶體管可以實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時(shí)帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片，同時(shí)雙方圍繞Synopsys IP、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及提取和簽核工具等領(lǐng)域進(jìn)行合作。

2013-01-10

三星 Synopsys FinFET晶體管

適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET

Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。

2013-01-10

功率MOSFET 轉(zhuǎn)換器逆變器