工程師常常認為當應用需要更高電壓時,使用氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是,如果只是考慮開關品質(zhì)因數(shù),相比先進的MOSFET器件,200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應用中的性能到底怎樣?且聽本文細細分解。
2013-05-16
氮化鎵場效應晶體管 硅功率器件
近日,Avago Technologies推出二組新高速門驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346,這些器件在設計上為用來保護和驅(qū)動功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅(qū)動光電耦合器,適合如變頻器、電機控制和開關電源(SPS)等高頻率應用。相較于Avago前一代產(chǎn)品,ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...
2013-05-15
光電耦合器 傳播延遲
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件,預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術,氮化鎵技術平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻玫男阅苤笖?shù)(FOM)提升10倍。
IR GaN 電源轉(zhuǎn)換
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關電源,硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來,MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期;然而與此同時,增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善,迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎?
MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN
對于太陽能逆變器來說,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益,其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制,并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT,使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太陽能 逆變器 高能效
通過結(jié)合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件,開關電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面,正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件,可以提高溝槽密度,并無需JFET阻抗元件,因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右,降低同步整流的能量損耗,極大的提高了電源能...
MOSFET 高能效 電源
“ 中國(西部)EMC應用技術展”是電磁兼容技術面向航天、軍工、通信領域的國際盛會。 成都,中國西部大開發(fā)的龍頭城市,中國重要的基礎電子裝備基地、航天、軍品電子中心。
2013-05-13
EMC
電子信息是成都第一支柱產(chǎn)業(yè)之一。四川電子信息產(chǎn)業(yè)是一極一基地四帶多園區(qū),其中“一極”即是成都。在這里,電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值在全省占50%左右,軟件占90%以上。始于英特爾來蓉、富士康、仁寶、緯創(chuàng)、德州儀器等世界IT巨頭紛至沓來……眼下,世界500強企業(yè)中超過40家電子類企業(yè)來蓉布局,全球軟件20強中...
中國電子展
2013年6月20—22日,中國電子展(CEF)系列展覽之一的“2013中國(成都)電子展” (www.icef.com.cn )將在成都世紀城新國際會展中心召開。在20000平方米的展廳中,將匯集國內(nèi)外的600余家領軍企業(yè)參展,12場專業(yè)研討會和高峰論壇。
西部電子
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